来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：英语作业 时间：2024/05/07 14:13:13
半导体物理专业翻译（中——>英）
当氧化层厚度达到微米量级的时候,由于量子隧穿效应,栅氧化层中形成电流,电流从栅极流入、源极流出.
When the thickness of oxide layer comes to microns, because of the quantum tunneling effect,current forms in gate oxide , current flows from the gate and source out.
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