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半导体物理中 晶格弛豫 弛豫 动量弛豫有何分别?需要从半导体物理角度解释

来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：物理作业 时间：2024/05/19 19:34:46
半导体物理中 晶格弛豫 弛豫 动量弛豫有何分别?需要从半导体物理角度解释
弛豫就是从一种状态逐渐过渡到另一种状态的变化过程.晶格弛豫就是晶格受到某种作用而逐渐发生变化的一种过程.半导体载流子的弛豫有动量弛豫和能量弛豫：动量弛豫是载流子在电场作用下,其动量发生变化的过程,能量弛豫是载流子在电场作用下,其能量发生变化的过程,一般动量弛豫时间要比能量弛豫时间短得多,这也就是产生速度过冲的原因.
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