作业帮在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.）
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：综合作业 时间：2024/05/22 01:35:56
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.）
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.） 五价 （ B）.四价 （C.） 三价 (D)空穴 (E)自由电子
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.） 五价 （ B）.四价 （C.） 三价 (D)空穴 (E)自由电子
在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子,游离于晶格之间.失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子.磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子,又称施主杂质.
在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变.这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子（简称多子）,空穴则为少数载流子（简称少子）.
因此答案是E.
在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变.这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子（简称多子）,空穴则为少数载流子（简称少子）.
因此答案是E.
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.）
在本征半导体中加入( )微量元素可形成N型半导体.
在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体.
电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ ） A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2
1.半导体的三大特性是光敏性＿和＿.N型半导体的形成是在本在半导体中掺入＿价元素.
本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度?
N型杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素,该元素的价数为（ ） A.2价 B.3价 C.4价 D.5价
在半征半导体中加入五价元素后可以形成什么型半导体?其少是?
在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体吗
在N型硅半导体体中,掺杂的磷元素与硅元素相结合形成共价键,这是不是化学反应
在本征半导体中参入微量三价元素形成的杂质半导体,其多数载流子是什么?
N型半导体和P型半导体的问题