作业帮怎样理解二极管的扩散电容,当正偏时,其两端的电压是正是负?
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：综合作业 时间：2024/05/05 03:24:34
怎样理解二极管的扩散电容,当正偏时,其两端的电压是正是负?
当二极管正偏时,会产生扩散电容效应,但是这个电容是在P区积累电子,而在N区积累空穴,这样的话,这个扩散电容两端的电压不应该是负值吗?这个与二极管两端所加的正向电压相违背啊?求大牛解释.
当二极管正偏时,会产生扩散电容效应,但是这个电容是在P区积累电子,而在N区积累空穴,这样的话,这个扩散电容两端的电压不应该是负值吗?这个与二极管两端所加的正向电压相违背啊?求大牛解释.
PN结除了非线性电阻特性外,还具有非线性电容特性.PN结电容由势垒电容CT和扩散电容CD两部分组成.
P区中的多子是空穴,电子是少子；N区中多子是电子,空穴是少子,在阻挡层边界处注入到中性区的非平衡少子浓度与正偏电压有关.正偏电压U增大△U时,注入的非平衡少子浓度也增大.浓度分布曲线上移.当N区中增加少子（空穴）电荷量△Qp,外电路必将补充同样电荷量△Qp的自由电子.当P区中增加少子（自由电子）电荷量△Qn,外电路必将补充同样电荷量△Qn的空穴.这就是说,当正偏电压增加△U时,阻挡层两侧贮存的空穴电荷量增加了△Q=△Qp＋△Qn,同时,电子电荷量也增加了△Q.这种贮存电荷量随外加电压改变的电容效应等效为PN结上并联了一个电容.因为这是载流子扩散引起的,所以称为
扩散电容CD
CD≈（q／kT）×（τp）×（I＋Is）
Τp—空穴的平均寿命（s）
I—正向电流
详细的阐述可查询《电子线路》第二版,谢嘉奎主编,高等教育出版社.
P区中的多子是空穴,电子是少子；N区中多子是电子,空穴是少子,在阻挡层边界处注入到中性区的非平衡少子浓度与正偏电压有关.正偏电压U增大△U时,注入的非平衡少子浓度也增大.浓度分布曲线上移.当N区中增加少子（空穴）电荷量△Qp,外电路必将补充同样电荷量△Qp的自由电子.当P区中增加少子（自由电子）电荷量△Qn,外电路必将补充同样电荷量△Qn的空穴.这就是说,当正偏电压增加△U时,阻挡层两侧贮存的空穴电荷量增加了△Q=△Qp＋△Qn,同时,电子电荷量也增加了△Q.这种贮存电荷量随外加电压改变的电容效应等效为PN结上并联了一个电容.因为这是载流子扩散引起的,所以称为
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CD≈（q／kT）×（τp）×（I＋Is）
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详细的阐述可查询《电子线路》第二版,谢嘉奎主编,高等教育出版社.
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