在真空中有一半径为R的均匀带电球面,总带电量为Q(Q>0).今在球面上挖去

如果就做这道题来说的话,图中的解法应该是做等效处理了,由于圆环的对称性,在电势上相当于带Q的点电荷在距离为R上的电势,图中的解法应该是解等效后的这样一个简单模型,楼主说的电势叠加是可以的.

高斯定理知道吧,你在那两个带电球面之间任意取一个同心高斯球面,它包围的电荷只有q,这样由高斯定理即可知,那两个带电球面之间的电场只由q决定,而与Q无关,所以,两球面的电势差与Q无关.也可由积分运算证明

ds面积上的电荷：q*ds/(4πr^2)所以电场强度大小为：E=[kq*ds/(4πr^2)]/r^2=kq*ds/(4πr^4)电场方向由圆心指向小面积ds.再问：你可能没理解意思问的是挖去了ds

正确的解法应该是完整均匀带电球面的电势（整个球体是等势的）减去ds上的电荷单独存在时在球心处产生的电势——kq/r-k[q(ds/πrr)]/r.你大概是没算kq/r而只算k[q(ds/πrr)]/r

由高斯定理可等效为球心点电荷,因此场强为sigma/4epsilon0,电势为r*sigma/2epsilon0再问：是这个答案再答：没错就是这个

用高斯定理做就可以了.做与球面同心的球面作为高斯面,半径设为2R.由对称性,场强沿高斯面半径方向,高斯面上各点场强的大小处处相等.由高斯定理：E*4π(2R)^2=4πR^2σ/ε0E=σ/4ε0再问

从理论计算上来看,结合高斯定理,推导出的计算公式是：如图.（E.为真空电容率）（q其实就是Q)推导过程需要用到定积分理论.如果楼主还有问题的话,随时欢迎.希望对楼主有用~~~~~再问：可以写的在详细点

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

e=Qr/4π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)v=3Q/8π爱普戏弄零R－Q（r的平方）/8π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)

分情况考虑,当点r（PQ距离）＞R时,根据高斯定理（电通量φ=E*s=4πkQ）可知,P点所在以球壳球心为球心的球上各处电场相等,带电球壳对P点产生的电场等于球壳球心对其产生的电场,再由高斯定理推出E

根据高斯定理,可得出电场分布E=q/4πεr²（rR)U=∫(q/4πεr²)dr+∫[﹙q+Q)/4πεr²]dr(两个积分区间分别为r—R和R—∞）最后即可求出U=1

一均匀带电球体,半径为R,体电荷密度为p,今在球内挖去一半径为r（r<R）的球体,求证由此形成的空腔内的电场死均匀的,并求其值.10

高斯定理指的是如果球面内电荷为0,这整个球面上的总电通量为0.如果球面外有一个点电荷,则球面的一侧有像内的通量,另一侧有向外的通量,二者抵消.但这并不意味着该处的电场为0所以把它当成点电荷计算是正确的

由高斯定理可证,空腔内电场为零.再问：大物课你肯定没认真听讲..这问题我弄懂了没事了再答：你说说看再问：恩也有我没表达清楚的错误我是指的在大球里面随便挖一个小球，所以这个物理模型不具有很强的对称性，于

解题思路：均匀带电的球体，体外某点的电场强度则可由点电荷的电场强度公式求解，是将带电量的球体看成处于O点的点电荷来处理．解题过程：

积分来算,为了把二重的面积分简化为一重积分,首先根据对称性,d处的场强方向是沿着圆心O和d点连线向外.设圆盘的面电荷密度是s,有s=Q/πR^2考虑圆盘上的一个半径是在r,r+dr处的细环带,它的电量

电球面

2(1):球壳内场强为零.球壳外场强E=/4πεR^2.（2）球壳内电势为零.球壳外电势E=/4πεR.3（1）：B=(（2I/0.5d)-(I/0.5d)）μ/2π=μI/πd.（2）：x=2d/3

1、（1）球壳内电场为零,外部电场为：E=kQ/(r*r),r为该点到球心的距离.（2）球壳内电势为U=kQ/R.球壳外电势为U=kQ/r.（3）根据（1）（2）的结果绘制.2、无限长导线外一点的磁场