有关一个mosfet的datasheet
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/04/30 03:33:52
有关一个mosfet的datasheet
就是这个表格,我想知道里面的第一列是什么意思.
就是这个表格,我想知道里面的第一列是什么意思.
极限参数
ID @ Tc=25C° Vgs@10V 17A
mosfet芯片case温度在25C°、栅极电压为10V时,芯片允许通过的最大连续漏极电流为17A
如果芯片case温度上升到100C°,则漏极电流下降为12A
一般这个参数绝对是达不到的,因为给出的TC是芯片case温度,而不是封装的环境温度TA,一定要分清啊,不然可能会炸管的噢~
第一列的意思你看parameter就好了,不懂的用翻译软件翻译一下,有道词典、金山词霸之类的都不错
依次是Tc=25C° Vgs=10V 时允许的最大连续漏极电流
Tc=100C° Vgs=10V时允许的最大连续漏极电流
Tc=25C°时允许通过的最大脉冲漏极电流,具体测试环境要参考备注 1
Tc=25C°时芯片允许的最大功耗
Vgs=±20V 芯片栅极所允许的极限电压阈值,超过则芯片可能会损坏,栅极击穿
Iar雪崩电流
Ear重复雪崩放电能量
二极管允许的最大dv/dt
芯片允许的工作存储温度范围-55C°——+175C°
下面是3个热学参数,3个热阻juction to case 结到封装外壳 case to sink 外壳到裸露铜皮 juction to ambient 结到器件周围环境 用最后一个计算出来的才是实际上芯片可以通过的最大电流,有关资料你可以百度一下,很多的
ID @ Tc=25C° Vgs@10V 17A
mosfet芯片case温度在25C°、栅极电压为10V时,芯片允许通过的最大连续漏极电流为17A
如果芯片case温度上升到100C°,则漏极电流下降为12A
一般这个参数绝对是达不到的,因为给出的TC是芯片case温度,而不是封装的环境温度TA,一定要分清啊,不然可能会炸管的噢~
第一列的意思你看parameter就好了,不懂的用翻译软件翻译一下,有道词典、金山词霸之类的都不错
依次是Tc=25C° Vgs=10V 时允许的最大连续漏极电流
Tc=100C° Vgs=10V时允许的最大连续漏极电流
Tc=25C°时允许通过的最大脉冲漏极电流,具体测试环境要参考备注 1
Tc=25C°时芯片允许的最大功耗
Vgs=±20V 芯片栅极所允许的极限电压阈值,超过则芯片可能会损坏,栅极击穿
Iar雪崩电流
Ear重复雪崩放电能量
二极管允许的最大dv/dt
芯片允许的工作存储温度范围-55C°——+175C°
下面是3个热学参数,3个热阻juction to case 结到封装外壳 case to sink 外壳到裸露铜皮 juction to ambient 结到器件周围环境 用最后一个计算出来的才是实际上芯片可以通过的最大电流,有关资料你可以百度一下,很多的
有关一个mosfet的datasheet
最近看infineon 的MOSFET 的datasheet出现了两个陌生的参数Load current(ISO) 和N
在N—MOSFET的DATASHEET上看到关于电流的描述中出现:package limited是什么意思?
本人想做一个有关功率mosfet管的驱动电路时,请问需要用什么芯片(直插式)来产生1MHz的矩形波呢?
如何看懂datasheet的元件封装?
功率MOSFET的导通电阻和通态电阻是一个概念吗?
dps(出自陀螺仪L3G4200D的DataSheet)是什么单位?
英语翻译正在翻译一个电子器件的datasheet,有两个名词的有点困难,不知道业界是怎么说的,1 PSR power s
mosfet驱动器需要多大功率的电源
AC开关电源电路中的Mosfet 的作用?
IGBT与MOSFET的开关速度比较?
关于功率MOSFET最高频率的计算