为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层

为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层

这部分其实在模电书里面写得很清楚了,只是你要反复看书,这部分内容是需要悟出来的.
当UGS从0开始,逐步增大（UGS〉0）的时候,G极会积聚正电荷,而S与衬底B其实是连在一起的,也就是负极,这时候,衬底里面的空穴（带正电）会被G排斥,逐步远离G极,这样在衬底（P区）里面就形成了以不能移动的负离子为主的耗尽层.当UGS增大后,耗尽层会逐步加宽,同时,由于电场力的吸引,衬底P区中的自由电子开始向G极移动,由于G极与衬底之间有SiO2的绝缘层,因此自由电子并不能达到G极,而是积聚在耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型的薄层,也就是反型层（反型层与G极合起来看,类似一个平行板电容）.
再问： ugs是什么
再问： 给我个视图好吗
再答： Ugs就是MOS的G与S之间的电压（栅源电压）。G是电压正方向，这不是模电内容吧，应该电路基础就学过了。 你有空去多看看模电书，我说的这些来自童诗白的《模拟电子技术基础》第四版，P45页，高等教育出版社。
再问： 但基板和源极都是接地 p型基板不就带正电 在栅极电压影响下也应该是负电子在绝缘膜表面富集，那怎么会形成电容呢
再问： 就是类似电容
再答： 有电势差啊，就如同一个电容，接到一个电池上。
再问： 哦 你是说把栅极绝缘膜当做电容的介质吗
再问：
再问：
再问：
再问： 但这对源极和漏极间电流的影响有什么作用
再答： 是的。就在绝缘层两边，G极积累正电荷，而负电荷（电子）在电场吸引力作用下，集中在绝缘层这边，过不去。由于电子积累比较多，在这P区中就形成了一个电子相对集中的区域，也就是N- 区（N区，但浓度不及掺杂的N 区），也就是反型层。 UGS越高，反型层厚度越宽，导电沟道电阻越小，不过这个跟IDS（漏源电流）没有直接关系。
再问： 但这样也只能导致左右两边的电子像中间流，这与漏极电流有什么关系，，难道是因为源极接地导致的低电势
再问： 假定s处的电子数为0然后电流由s到d吗
再答： 你完全没把MOS管的工作原理搞清楚，MOS管跟三极管很不一样。GS之间，没有电流，UGS的作用就是产生导电的沟道，可以让DS的电流通过。根据UGS的大小，导电沟道的宽度也有不同，DS通过这个器件的阻力也不一样，在放大状态下，IDS电流的大小与UGS的大小成正比。 对于N-MOSFET 而言，标准的电流回路就是电源正极出发，通过负载，到D，然后从D到S（这一段在MOS管内），从S流出后，然后回到电源负极。 UGS的产生，要靠电源，会有另外一套电路，通过电阻串并联，分压得到UGS，这部分称为偏置电路，跟三极管比较类似。MOS电路中一般采用分压偏置或自举偏置。 我还是建议你选一本好一点的模电书，好好去看看，一个字一个字的过去，结合书上的图，这东西，比你网上所看到的所谓攻略好多了。
再问： 但源极是接地的额
再问： 晶体管是放大信号和切换功能
再答： 接地又怎样？地在电路中只是参考，我把地挂到电源正极也可以啊。 晶体管的作用是放大和做开关。 看来你的电子基础得好好补补了。
再问： 嗯嗯 正在补 对了栅极电压超过阈值电压是不是可以理解成电容器的击穿
再答： 不是，UGS超过UGS（th）是指反型层刚刚形成。UGS加上后，反型层不是马上就有的。