作业帮N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：综合作业 时间：2024/05/09 13:53:22
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?
一个常用N沟道MOS管2N7002E（NXP产）,封装SOT32,取一只新管进行测量（未焊接、未使用）,使用万用表的“二极管”档,1.红笔接S,黑笔接D,有0.6V压降,正常；2.红笔接D,黑笔接S,无压降,完全绝缘,正常；3.这时,将红笔接G,黑笔接D,万用表鸣响,短路,不正常；4.之后再重复“第1项”和“第2项”测量,万用表都鸣响,发生短路,不正常（难道已击穿?）；5.这时再将红笔接S,黑笔接G,万用表无压降,不鸣响,正常；6.最后,也就是最奇怪的地方,再进行“第1项”和“第2项”测量,均恢复正常（难道管子已被修复?）.
请问这位高手,这是怎么回事呢?
一个常用N沟道MOS管2N7002E（NXP产）,封装SOT32,取一只新管进行测量（未焊接、未使用）,使用万用表的“二极管”档,1.红笔接S,黑笔接D,有0.6V压降,正常；2.红笔接D,黑笔接S,无压降,完全绝缘,正常；3.这时,将红笔接G,黑笔接D,万用表鸣响,短路,不正常；4.之后再重复“第1项”和“第2项”测量,万用表都鸣响,发生短路,不正常（难道已击穿?）；5.这时再将红笔接S,黑笔接G,万用表无压降,不鸣响,正常；6.最后,也就是最奇怪的地方,再进行“第1项”和“第2项”测量,均恢复正常（难道管子已被修复?）.
请问这位高手,这是怎么回事呢?
由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.
在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的DS持续保持导通.如果电压过高,栅极可能击穿损坏.
在测量DS时候,最好将G与S短接,或者GS之间接一个电阻,或者放置在防静电的工作台上.由于MOS过于脆弱,一定保证人体无静电.
从你测量的结果看,明显的G存储了电荷并导致DS导通,G的电荷释放后DS又恢复了正常.
在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的DS持续保持导通.如果电压过高,栅极可能击穿损坏.
在测量DS时候,最好将G与S短接,或者GS之间接一个电阻,或者放置在防静电的工作台上.由于MOS过于脆弱,一定保证人体无静电.
从你测量的结果看,明显的G存储了电荷并导致DS导通,G的电荷释放后DS又恢复了正常.
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)
N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?
求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装
MOS管关闭状态下,栅极电压最大能允许多大?是不是在接近导通电压Vgs时不安全,时间长可能会导通?
请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能导通?
MOS管如何使用?1,我是这样理解的：mos管的开启电压,假设是5V,源极电压有12v,这样是不是不需要加栅极电压就可以
N mos管通电情况下,栅极和缘极短路了,是坏了吗
p沟道mos管如图所示,求在Vd在小于5v的情况下 能正常工作的P沟道mos管的 型号 .
N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...
有没有这样的mos管,我是想要栅极电压大于1.5V时,管子处于夹断状态,低于等于1.5V时,管子导通.