模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中：uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”?我感觉写反了吧?

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：数学作业时间：2024/05/10 05:47:35

模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中：uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”?我感觉写反了吧?
华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是：
”uGS>uGS(th）
且uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）“
uGD＞UGS（th）不是等价于
uGS+uSD>uGS(th)
uSD>-uGS+uGS(th) 两边同乘负号
uDS

没有看过华成英的《帮你学模拟》.
但三个不等式中：
“uGS>uGS(th）,且uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”
中间的一个错了!
应为：uGD

模拟电路模拟题求助1. UGS＝0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( ). A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管) N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极... N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... 结型绝缘型、P沟道N沟道、加强型耗尽型MOS管电子电路的大神进上面电路为什么不能放大正弦交流信号?在直流通路下栅极接地,有什么影响?,另外答案说Ugs会大于0,这是为 mos管饱和问题当Vds增大后,书上说超过一定大小,则沟道被切断,再增加Vds,则不影响电流（不考虑沟道效应）,我有两个 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?