求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：物理作业时间：2024/05/10 19:57:31

求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率
在网上可以查到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).
MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.
拿这个数据乘以电子迁移率,再乘以W/L,W为绝缘层宽度,L为绝缘层长度,数量级仍在10^7,乘以栅极输入电压以后,漏极输出电流在10^8数量级,这显然是不可能的,怀疑是电子的迁移率数据不对.
求问啊

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级,氧化层厚度算20nm的话,那这个电容应该就在0.01F/m^2的数量级,电子迁移率0.135m^2/(V·s)都算高的,实际MOS管中因为表面态的影响,还不到这个值,经验值是减半,大概是0.07吧,乘以电容也就是10^-4数量级了,如果MOS管宽长比算单位1的话,乘上个电压,电流数量级也就在十的负三负四次方的级别,主要就是你的电容数量级算错了

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