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半导体物理:证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为:看下面公式
来源:学生作业帮 编辑:
作业帮
分类:
综合作业
时间:2024/04/28 12:01:12
半导体物理:证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为:看下面公式
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