满足IC=BIb 时 三极管一定工作在

如果集电极接有负载电阻,饱和时基级电流仍然流向发射级,仍然是Ie＝Ib+Ic.如果集电极不接电源（通常作为衰减式电子开关用）时,集电极一般有隔直流电容,此时集电极没有静态电流.

Ic过大对应于Ib过大,使三极管趋近或进入饱和区,在输出特性曲线中直流工作点偏左上,beta降低.

对于npn晶体管,发射极电流包括有注入到基区的少数载流子——电子的扩散电流,以及从基区注入到发射区的空穴的扩散电流（这是基极电流的一部分）.当发射结电压增大、使基极电流增大的同时,从发射区注入到基区的

你说反了.三极管是用基极电流控制集电极电流,也就是如果当三极管处于放大区：当基极电流Ib有微小变化时,则集电极电流Ic会有比较明显的变化.用公式表示就是Ic=BIb（B表示贝塔,懒得打希腊字母了）,这

因为在三极管输出回路有一个关系式：VCC=UCE+ICRC.不是你说的UBE=VCC,是UCE=VCC.

Ib=(5-0.7)/43=0.1mA(电压单位是：伏,电阻单位是：千欧,所以电流单位：毫安）Ic=βIb=100*0.1=10mAVc=5-IcRc=5-10*2=-15V,实际在应用中,其电压在0

三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,如果此时Ib继续增大,Uce减少,这是叫做过饱和.这时Ic已经达到最大,这个最大值是由三极管的负载电阻决定的.

饱和区是很大的,只要饱和时Ic要小于βIb,可以无限大的,当然也不能超出最大IC值,不然三极管会烧的.饱和情况下,集电极回路阻抗变化,电流变化是对的.因饱和时,三极管VCE只是相当于一个二极管,是有一

在三极管放大原理叙述中三极管放大c、b结必须必须处于反向,在实际使用中带负载的三极管随着be电压的增加ib、ic也随之加大而uce下降、当达到Uc=Ub时ib即使再增加ic也不再继续上升即所谓饱和,并

三极管的作用是用输入回路端的一个小电流控制输出回路端的一个大电流,体现在两个不同回路的控制作用,就像你第一个问号之前描述的那样.但是你问的一根导线加一个电压使导线电流增加的现象是发生在同一个回路的事件

这是因为此时的三极管输出电流为最大值,当输入电压继续增大时,输入电流在增大,而由于输出电流已经是最大值所以无法继续增大,故不能按β倍增大,继续增大输入电流只会使得β继续减小,当输入电流等于输出电流时β

Uce=Vcc-Ic*Rc说的是三极管外电路的关系.因为VCC和地之间只有Rc和三极管,所以电阻上降的电压加上三极管ce之间降的电压必然等于VCC.而这时Ic的变化只能靠Ib变化,而三极管特性曲线的那

饱和区与放大区临界点~

1：稳压二极管按材料分为硅管锗管.(对)2：某晶体管体三极管的IB=10uA时,Ic=0.44mA；当IB=20uA时,Ic=0.29mA则它的电流放大系数β=45(错)3：变压器也能把电压升高,变压

Ie=Ic+Ib是永远满足的,但是Ic=βIb则只有在三极管处于放大区域内才能满足,当三极管进入饱和状态时是不满足Ic=βIb的.这和是否处于静态、是否为共发射极电路都没有关系.即使是共基极电路,只要

ib增大的原因是ube上升,即发射结正偏电压升高,必然使ie增大（比ib增大的量大得多）,所以

当不考虑少子运动时,Ic=βIb,当考虑少子运动时Ic=βIb+Iceo.不过少子非常少可忽略不计,其实在实际中β是通过测量出来的,为了精确一点就把少子算进去,形成一个较为精确的式子.这是我个人的理解

当三极管工作在放大区时,关系式Ic=BIb当三极管工作在截止区时,Ic=0当三极管工作在临界饱和区时,Uce≈0（在过饱和区时应该为正）

Ib=Ic/B=2/50=0.04mAIe=Ic+Ib=0.04+2=2.04mA再问：叙述如何用万能表检测三极管的管型和基极

进入饱和后Ic不受ib的控制了,晶体管不具有放大作用.Ube=0.6-0.7v、Uce