作业帮本征半导体掺入五价元素后,其多子是
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/21 12:00:12
从理论上来说没有不可以的,但是实际操作不见得可行,你可以从晶体成键的方面来考虑,而且就算理论成立,在单晶生长过程中可能会因为多空穴而产生晶格错位形成层错等,估计最后拉制出来的应该是高密度位错的晶棒,可
既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是
可以.有一种高阻半导体采用三、五族元素补偿掺杂得到,多掺一点儿三族即显示P型半导体性质.不过补偿掺杂通常会产生大量缺陷,晶体质量不高.
在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价
半导体材料一般是锗或者硅,他们最外层电子是4,一次是四价元素,这些硅原子或者锗原子之间形成共价键,而加入三价元素后,形成共价键时由于要形成四个共价键,而三价元素外只有三个电子,故形成一个空位,其他自由
你看图,在圈里的黑点都是电子,形成了固定的化学键,不能乱动,所以无法作为载流子.白点空穴,就是那个白点没电子,所以白点没有形成固定的化学键,可以移动,作为载流子形成电流.空穴是载流子的时候就是p型半导
D.5价磷、砷、锑、铋等比碳硅多电子的元素,这些元素在碳硅中成键只需四个电子,多余电子可自由移动,由于是电子（negative)导电,故称N型杂质半导体.
本征半导体完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体.硅和锗都是四价元素,其原子核最外层有四个价电子.它们都是由同一种原子构成的“单晶体”,属于本征半导体.1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴在热
p主要加B硼n主要加p磷再答：再答：���������
本征半导体就是由于本证激发而产生电子的高纯半导体,参加微量五价（例如磷）,则会形成,非本征半导体（N型半导体）,多子是电子,少子是空穴
N的是电子为载流子,迁移率明显要比空穴的高!
只能回答第1题,没做过ccd本征半导体：你把费米能级画在带隙中央就行了,n型的话把费米能级画在带隙上方靠近导带的地方对于本征半导体,只有热激发的那可怜的一点点电子空穴可以导电,所以电导率很低.n型的话
在本征硅中掺入正三价元素后,该元素原子和硅原子形成共价键时缺少一个电子,会形成一个空穴,因此可形成P型半导体.
在本征半导体中加入五价元素可以形成N型半导体,加入三价元素可以形成P型半导体.N型半导体中少子是空穴,多子是电子.
半导体的导电能力（电导率）,决定于载流子浓度、载流子迁移率和电荷量的乘积.对于"掺入相同数量杂质的p型半导体和N型半导体"来说,在杂质完全电离的情况下,两者的载流子浓度和电荷量是相同的.但N型半导体的
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）A电子B空穴C三价硼元素D五价磷元素N：negative（负）的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导
本征半导体(intrinsicsemiconductor)是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体.特点：电子浓度＝空穴浓度,载流子少,导电性差,温度稳定性差,所以,实际上少用,要掺杂后才实用.
本征半导体中掺入[ⅢⅤ]族元素例如[掺入Ⅴ]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[＜]自由电子浓度[＜]本征空穴浓度.2009年11月20日8:53:01