怎么区别本征半导体和高度补偿的半导体

纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素.而杂质半导体是指在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体.两者有本质的区别.

光敏性,热敏性,掺杂性,我学电子的.就是这么简单,这三个特性

在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价

我以N型半导体给你举一个例子：单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4（万分之一）,则杂质原子浓度为10^18cm^-3.在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带

相同点,都是依据传感器在不同温度下阻值不同来测量温度的.不同点,1、原理不同,金属热电阻是依据金属的电阻率随温度升高而升高的原理.半导体是依据温度升高,半导体电子、空穴激发率增大引起电导增大的原理工作

激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体,其端面经过抛光后具有部分反射功能,因而形成一光谐振腔.在正向偏置的情况下,LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用,从而进一步激励从结

空穴：电子挣脱共价键的束缚,成为自由电子后留下的空位.我做一个比喻：你可以把共价键想象成一个教室的桌椅和学生（每个位置都有学生）,此时是一个稳定状态（没有运动的学生,也没有空桌椅,相当于不导电）.突然

1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

本征半导体完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体.硅和锗都是四价元素,其原子核最外层有四个价电子.它们都是由同一种原子构成的“单晶体”,属于本征半导体.1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴在热

本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷

半导体收音机是70年代的称呼,80年代以后改称晶体管收音机

补偿流（Cotpensationcurent）指某一海区的海水出现亏缺,相邻海区的海水向缺水海区补充而形成的海流.补偿流按方向一般分为两种：一种是水平补偿流,另一种是垂直补偿流.后者亦称升降流,包括上

----------------导带-----------------价带本征半导体带隙中不存在杂质能级,能带结构只由导带和价带构成

导电性将会有质的区别,掺杂半导体将会出现“空穴-电子”型导电特性,本征半导体只会激发出少量的自由电子(空穴)来导电.估计又是一个刚学模电的有点不懂了.模拟电子技术基础(高教社),学完这本还要学数字电子

本征导电性能最差.N型靠电子导电,P型靠空穴导电（空穴实际不存在的）,电子迁移率比空穴高.

常用的四价元素硅和锗等纯净半导体称为本征半导体.半导体分为两种N型和P型.本征半导体与载流子的浓度,与材料的性质和温度有关,随温度的增加,基本按指数规律增加.依电子导电为主的叫做N型半导体,依空穴导电

只能回答第1题,没做过ccd本征半导体：你把费米能级画在带隙中央就行了,n型的话把费米能级画在带隙上方靠近导带的地方对于本征半导体,只有热激发的那可怜的一点点电子空穴可以导电,所以电导率很低.n型的话

热敏性,掺杂性,5

本征半导体(intrinsicsemiconductor)是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体.特点：电子浓度＝空穴浓度,载流子少,导电性差,温度稳定性差,所以,实际上少用,要掺杂后才实用.

本征半导体中掺入[ⅢⅤ]族元素例如[掺入Ⅴ]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[＜]自由电子浓度[＜]本征空穴浓度.2009年11月20日8:53:01