在晶体管放大电路的实验中,采用直流电压表va=2v,Vb=6v-搜答案-智慧作业帮

输入信号幅度大用图解法.输入信号幅度小用微变等效法.

1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a

看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.

共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1＋β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

1、饱和时Uce很小,就是饱和了0.3左右,截止时Uce很大,等于电源电压2、输入电阻有影响,偏置越大,越小,输出端的外界电阻改变了,输出电阻当然要变

增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.

你的问题我没有看明白,只能按照两种理解来回答：对于电路上同一测量点来说,或是任意的其他测量中,实测值和理论值产生都会产生偏差,这个偏差与测量设备的精度有关系,也就是存在固有误差.在单管放大电路中,输出

在射电路中,从基极注入基极电流从发射极流出,放大的电流从集电极流入从发射极流出

BD就正确了再问：B、D?可这是单选啊……再答：单选就选B,多选就可选D，因为基极电流变大时，集电极相应变大，超出饱和区就不变了，再大就可能损坏。

同一点接入为并联,不同节点接入为串联

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

放大倍数不一样偏置电路参数也不一样如果是工作在放大区替换后可能会使模拟失真,如果你是设计电路那就无元所谓,只要你外围元件参数正确就一样能工作!再问：是一个简单的共射极放大电路，不太记得清楚了，是会发生

看晶体管的输入和输出部分,如果基极和发射极构成输入回路,集电极和发射极构成输出回路,那么就是共射如果发射极和基极构成输入回路,集电极和基极构成输出回路,那么就是共基如果基极和集电极构成输入回路,发射极

BJT晶体管的三个电流,绝对值最小的那个是基极电流,最大的那个是发射极电流,居间的是集电极电流.这里①脚电流绝对值为|I1|=1.2mA,居于另外两个0.02mA和1.22mA之间,故①脚为C集电极

“放大”的本质是实现能量的控制,即能量的转换：用能量比较小的输入信号来控制另一个能源,使输出端的负载上得到能量比较大的信号.放大的对象是变化量,放大的前提是传输不失真.晶体管放大电路的作用是增加电信号

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.