半径为r的电介质球,均匀带电,总电荷量为q,球内相对介电

如果就做这道题来说的话,图中的解法应该是做等效处理了,由于圆环的对称性,在电势上相当于带Q的点电荷在距离为R上的电势,图中的解法应该是解等效后的这样一个简单模型,楼主说的电势叠加是可以的.

由高斯定理可以求得薄金属球壳外的电场强度∮Dds=∮εεoEds=εεoE∮ds=q,闭合面为以金属球心为球心的球面,【有些书里相对介质常数用εr来表示,这里用ε表示,所以εεo是介质的介电常数】E=

高斯定理知道吧,你在那两个带电球面之间任意取一个同心高斯球面,它包围的电荷只有q,这样由高斯定理即可知,那两个带电球面之间的电场只由q决定,而与Q无关,所以,两球面的电势差与Q无关.也可由积分运算证明

从理论计算上来看,结合高斯定理,推导出的计算公式是：如图.（E.为真空电容率）（q其实就是Q)推导过程需要用到定积分理论.如果楼主还有问题的话,随时欢迎.希望对楼主有用~~~~~再问：可以写的在详细点

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产

外面是均匀球壳便可以无视,所以内部就无视外侧的球壳,将内侧的球视为在圆心的点.在球外视为球心的点即可

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

e=Qr/4π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)v=3Q/8π爱普戏弄零R－Q（r的平方）/8π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)

薄金属球壳的电容接近于平板电容器,电容大小是4π*ε0*εb*R*R/d储能1/2*c*U*U

设均匀带电导体球外的电势为φ=KQ/R,其中K为未知的常数,待定.这个表达式如果满足唯一性原理的要求,求出的电场就是唯一的,【1】在导体外要满足泊松方程div(gradφ)=-ρ/ε,在此题中,导体外

在球外,可以将这个球壳等效为全部电荷集中在球心的点电荷处理,电势分布为k*4paiR^2σ/r(r>R)在球内的时候因为球壳上均匀带电,可以证明在内部所受合力为零,因此无论如何移动都不做功,因此是一个

弱弱得问一下、你学过电场的高斯定理吗?学过的话就好办、没学过的话还要解释一下高斯定理的证明再问：高斯定理正在学习中，所以就遇到了这个问题再答：哦哦、、我刚刚仔细想了想、这题还真不好办、是求圆环所在明面

D=εr*ε0*E=Q/（4*π*R2）导体中（包括表面）没有电荷定向移动的状态叫做静电平衡状态.“静电平衡”指的是导体中的自由电荷所受的力达到平衡而不再做定向运动的状态.对于电荷都分布在表面可用高斯

是的,我也曾思考过这个问题.请仔细阅读.因为认为介质两端带电了,产生的电场与原极板间电场强度方向相反,那么实际电场变小了,可以用公式σ/εοεr来计算.也可以用σ/εο-σ'/εο来表示,这两种表示的

R如果你还没有被挖,在球体的中心的电场强度为0（即均衡）.被挖出来,它可能被设想与孔对称约球体中心到另一侧也挖一个洞,半径为r,然后挖两个洞之后,在其他部位的电场强度球体中心的平衡.所以这个问题本质上

这个球是一个球形电容,你可以查下球形电容的推导应用,这个电容C=4πεR,根据电容能量公式E=(1/2)(Q^2)/C,把电容C一带就行了再问：能稍微具体一点嘛？还是不清楚。我是先取体积元，然后计算体

首先,由总电量Q与半径R可得电荷体密度τ=Q/(4/3*π*R^3),进而可得任意半径r（r<=R）处电场强度（为了简洁此后所有ε均为εr含义）E=(1/4πε)*(τ*4/3*π*r^3)/r

2(1):球壳内场强为零.球壳外场强E=/4πεR^2.（2）球壳内电势为零.球壳外电势E=/4πεR.3（1）：B=(（2I/0.5d)-(I/0.5d)）μ/2π=μI/πd.（2）：x=2d/3

1、（1）球壳内电场为零,外部电场为：E=kQ/(r*r),r为该点到球心的距离.（2）球壳内电势为U=kQ/R.球壳外电势为U=kQ/r.（3）根据（1）（2）的结果绘制.2、无限长导线外一点的磁场