作业帮半导体物理中k
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/15 17:56:38
我觉得和保险丝差不多吧、 半导体室温时电阻率约在10E-5～E欧姆·米之间,温度升高时电阻率指数则减小.半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类.锗和硅是最常用的元素半导体；化
晶体电子不是真空中的自由电子,具有波动性,则其状态不能简单地采用坐标和动量来表征,而可以采用所谓波矢——晶体动量k来表征.由k的三个分量（kx、ky、kz）所构成的空间就是所谓k空间,该空间与正常空间
导体：铝,铜,盐水,稀硫酸溶液半导体：硅绝缘体：干燥的木条,橡胶,玻璃
光电效应压阻效应霍尔效应
弛豫就是从一种状态逐渐过渡到另一种状态的变化过程.晶格弛豫就是晶格受到某种作用而逐渐发生变化的一种过程.半导体载流子的弛豫有动量弛豫和能量弛豫：动量弛豫是载流子在电场作用下,其动量发生变化的过程,能量
掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.
这个你们大体有个映像就行了,以后基本用不到.pn结那一块稍微仔细看下,注重物理概念,那些公式就直接忽略就行了.
显然不一样.这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方,空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域,而耗尽层则相反.势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子
K＋单位则表示1000倍的意思在温度中表示开尔文有的则表示常数手机提问的朋友在客户端右上角评价点【满意】即可.﹃_﹃γ互相帮助,祝共同进步!
声子就是“晶格振动的简正模能量量子.”
扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同,这种电容效应称为Cd.扩散电容：是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应.
小注入是指注入的非平衡载流子浓度远小于平衡时的多数载流子浓度,比如n型半导体,如果满足△n和△p远小于平衡电子浓度（n0）就属于小注入.p型就是远小于平衡空穴浓度（p0）
耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（
热学单位,读作开尔文,简称开.
Whenthethicknessofoxidelayercomestomicrons,becauseofthequantumtunnelingeffect,currentformsingateoxid
晶体内部原子是按一定的几何规律排列的.为了便于理解,把原子看成是一个球体,则金属晶体就是由这些小球有规律堆积而成的物体.为了形象地表示晶体中原子排列的规律,可以将原子简化成一个点,用假想的线将这些连接
半导体物理,研究半导体原子状态和电子状态以及各种半导体器件内部电子过程的学科.是固体物理学的一个分支.研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础,主要研究半导体的晶体结构、晶体生长,以及晶
这个问题是固体物理中的一个基本概念问题.有效质量只有在能带顶附近处才是负的,而能带顶正好对应于Brilouin区边缘,因此有效质量在Brilouin区边缘处为负.当电子在外力作用下运动时,电子的动量增
比较一下空穴与本征载流子的浓度
本书针对半导体材料与器件的发展趋势,有必要向读者介绍新型半导体材料相关的知识和基本工作原理,以介绍基本物理概念为主,尽量避免复杂的数学推导和过分细致的器件细节,并尽可能多地利用量子力学知识分析、解释半