为什么mos的g极要走40mil

1,MOS管损耗比三极管小2,MOS管为电压驱动型,驱动电路比较简单,三极管为电流驱动型3,MOS管的温度特性要比三极管好

楼主,你好出现这样的情况是因为你的那两件元件所定义的封装名称不同造成,楼主只需要在原理图里面将这两件元件的封装名称改成一样就行了.双击要修改的元件,在封装一栏里面修改你想要定义的封装即可.原理图：PC

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

MOS每次开关都有损耗,降低开关频率就是为了降低损耗再问：那最高频率最低频率受哪些因素的限制，由什么来决定再问：还有，那为什么空载时的频率最高呢？难道不怕MOS的消耗吗？再答：最高最低频率和变压器参数

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

MOS管的栅极（gate）存在一个平板寄生电容,有兴趣可以看看半导体器件方面的资料如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电,所以栅极的电压其实还是基本维持在5V,越大的MOS管电容也就越大,这个现象也就

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

抑制开关速度；防止开关震荡；解决EMI问题等

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压,标记为Ugs(th)一般N-MOSFET的话,这个电压一般是2-4V之间.不过要提醒你的是：这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压,如果要

三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,可有pnp和npn两种组合.三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C）,名称来源和它们在三极

BG5和DW构成一简单的直流稳压电源作为前级交流信号产生部分的工作电源,目的是为了降压,做DC/DC变换.开关闭合后该电源开始工作,前级获得工作电源后开始工作,将产生的交流小信号送后级MOS管组成的推

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写,MOS电路由MOSFET（场效应管）构成,MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离,因此栅-衬间的电阻极大,而MOS电路的输入内部就是与栅极相接,所以输入

作用一样都是信号触发引起电流导通区别：三极管导通电流大,开关频率低mos管导通电流小,开关频率高.另外由于mos管的结构,使之自带一个反向二极管.

上管G只有0.38V根本达不到导通条件,先查驱动芯片7120的1、5、8、7脚有无正常电压查看原帖>>麻烦采纳,谢谢!

MOS管的GS级有寄生电容,而且电容值还不小,所以通常情况下会在GS之间挂一个几K的电阻,平且在驱动线路中串如一个几欧姆或者更小的电阻,以防止驱动放生震荡再问：PWM方波输出脚为什么要并联一个4148

它的名字叫二极管接法,但是并不是像二极管一样具有整流特性,它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子,就表现出一个小电阻似的小信号特性.原理上来讲,由于漏极和栅极相连,使得一定有Vds>Vgs-Vth,

都说导通~那么DS间的电阻就是为0欧姆,根据欧姆定律,U=IR,如果R=0,那么U=0,所以MOS导通时DS之间的电压接近于0

N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D.增强耗尽接法基本一样.P是指P沟道,N是指N沟道.G：gate栅极S：source源极D：drain漏极说得够明白了.

mos管驱动电阻烧了,说明这个管子已经击穿损坏了（管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的,mos管是电压驱动型器件）,再通电的话就可能会炸.再问：不是的，我后好直接把管子的删极电阻去掉，一加310DC电