一半径为R1的无限长圆柱体整个空间的电场强度大学物理-搜答案-智慧作业帮

半圆柱体的横截面如图所示，OO′为半径，设从A点入射的光线在B点处恰好满足全反射条件，入射角恰好等于临界角C，则由折射定律得：n=1sinθ=12得θ=30°由几何关系得：∠OO′B=θ则有光线从柱面

半圆柱体的横截面如图所示，OO′为半径．设从A点入射的光线在B点处恰好满足全反射条件，由折射定律有nsinθ=1 ①sinθ=12 θ=30°式1中，θ为全反射临界角．

2*π2²+2π2*4=8π+16π=24π（2个圆面积+侧面长方形面积、）

补充说一下:我说的轴不是过直径的直线而是过圆心垂直于圆所在平面的直线.比如圆柱的中轴垂直于圆柱的底面圆周,它也是底面圆周的轴.好了我不说了.B=u0I*(r^2-R1^2)/(2*pai*(R2^2-

利用高斯定理,先算出E,然后再对Edr积分.可求出空间电势分布.你就给10分,就给你提示提示吧.学过大学物理电磁学电场的高斯定理的话加我qq33372247,否则这个题你解不出来.

利用对称性,根据高斯定理计算(1)

利用对称性,根据高斯定理计算(1)

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即r再问：屌，大神，再

N点角速度小且圆周半径小我也才高一,才翻得必修2再问：N点圆周半径不一定小啊。角速度也不一定。。线速度一定比M小。再答：O1边缘上任意一点线速度=M的线速度V=r*角速度R1＞R2所以N的角速度小a=

用高斯定理做圆柱形高斯面,∮E.dS=E*2πrL=q/ε01,(

设该立方体的边长为a,考虑以点电荷为中心,边长为2a的立方体,根据高斯定律,大立方体的每一个面的电通量是q/6ε,然后由于原来的立方体之中有三个面分别是大立方体三个面的1/4,由对称性可以知道这三个面

电荷线密度为入的无限长均匀带电直线外的场强为E=2k入/rr1和r2的两点之间的电势差设为UdU=Edr=2k入dr/r=2k入lnrU=2k入[(lnr1)-(lnr2)]=2k入ln(r1/r2)

欢迎追问~

先用高斯定理求出电场分布,再积分得到电势.圆柱体内电场pr/2e,外电场pR^2/2re,e这里是真空介电常数.外电势-(pR^2)(lnr)/(2e),内电势[-(pR^2)(lnr)/(2e)]+

设圆心为O,连接OA,OB则有OA=OB=r则有AB^2=OA^2+OB^2=2r^2所以三角形AOB为直角三角形∠AOB=90度所以V小柱体=（πr^2/4-r^2/2)*hV大柱体=（3πr^2/

大圆柱体的半径难道不是314CM^2?再问：是Cm方再答：3.14R^2=314(CM)^2R^2=100R=10CM

用高斯定理啊因为电荷线密度为G所以圆柱面所带电荷为G*l,而高斯面面积为2∏rG第一种没有电荷所以场强为零第二种E=（q/※）/S（※为真空电容率手机打不出）带进去算一下答案为G/（2∏R1※）第三种

柱面内取环路,环路包围的电流为0,根据安培环路定理,B也为零

这是大物(下)的题.因同轴圆柱体的电流分布具有轴对称性,故圆柱体中各区域的磁感应线都是以圆柱轴线为对称轴的同心圆.在内导体圆柱中作一半径为r、和轴线同心的圆环形闭合回路,回路绕行方向与磁感应线方向相同

解出来内部场强分布：E=Ar^2/(3ε0),外部电势分布：u=[AR^3/(3ε0)]*ln(r/R).是否正确?

一半径为R1的无限长圆柱体 整个空间的电场强度 大学物理