质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况?

质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,进入一高度也为L的匀强磁场区域F安大于G此后V变化情况? ,质量为m,边长为L的正方形线框从某一高度自由落下后,通过一高度也为L的匀强磁场区域.则线框通过磁场过程中 如图所示，有一边长为L的正方形导线框，质量为m，由高度为H处自由落下，其下边ab进入匀强磁场区域后，线圈开始减速运动，直 有一边长为L=0.1m的正方形导线框abcd,质量m=10g,由高度h=0.2m处自由下落,其下边ab进入匀强磁场区域后 电阻为R的矩形导线框,横边长为l,竖边长为h,质量为m,自某一高度自由落下,通过某一匀强磁场（方向向里）宽度为d,若下边 高中电磁感应边长为L的正方形闭合金属框在磁场上边界AB上方h高处自由落下,匀强磁场区域高为d,若d>l,线框下边刚进入磁 如图所示,电阻为R的矩形导线框abcd,边长ab=L,ad=h,质量为m,从某一高度自由落下,通过一匀强磁场,磁场方向垂 边长ab=l，ad=h，质量为m，电阻为R的矩形导线框abcd，自某一高度自由落下，通过一匀强磁场，磁场方向垂直纸面向里 电阻为R的矩形导线框abcd,边长ab＝l,ad=h,质量为m,自某一高度自由落下,通过一匀强磁场,磁场方向垂直 23.电阻为r的矩形导线框abcd,边长ab＝l,ad＝h,质量为m,自某一高度自由落下, 如图,两条竖直的平行光滑导轨接有定值电阻,一质量为m的导体棒ab沿导轨自由下落,以速度v进入高度为h的水平匀强磁场区域, 如图所示，一个矩形线框从匀强磁场的上方自由落下，进入匀强磁场中，然后再从磁场中穿出.已知匀强磁场区域的宽度L大于线框的高