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PN结光生伏特效应的基本原理.
来源:学生作业帮 编辑:
作业帮
分类:
物理作业
时间:2024/05/15 15:20:34
PN结光生伏特效应的基本原理.
用光照射硅等半导体的PN结由于光电效应而生成从N到P流过的电流,光子能够在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激发,以致产生电子-空穴对.界面层附近的电子和空穴在复合之前,将通过空间电荷的电场作用被相互分离.电子向带正电的N区和空穴向带负电的P区运动.通过界面层的电荷分离,将在P区和N区之间产生电压!
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