为什么PN性半导体加压时,P区的空穴不会消失?不是被负极的电子都填补了吗?
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/05/21 19:55:03
为什么PN性半导体加压时,P区的空穴不会消失?不是被负极的电子都填补了吗?
PN结的重要特性就是整流性,这要看你所加电压的方向,在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性.
PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于0.6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于0.6V,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变.
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管.如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管.使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件.如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏特效应可制成太阳电池.
因此,PN结不管是加正向电压还是反向电压,其空穴和电子都不会消逝,只是其转移的过程.
PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于0.6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于0.6V,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变.
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管.如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管.使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件.如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏特效应可制成太阳电池.
因此,PN结不管是加正向电压还是反向电压,其空穴和电子都不会消逝,只是其转移的过程.
为什么PN性半导体加压时,P区的空穴不会消失?不是被负极的电子都填补了吗?
电子电工 PN结为什么电子半导体用N表示,空穴半导体用P表示?是国际统一规定的吗?电子:Electron空穴:Hole
外加偏压时,半导体pn结中任意截面的电子空穴电流之和为什么相等?
PN结问题,P型半导体的空穴问题
半导体中空穴的运动我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,还有一种是空穴,空穴是电子填补空位的现象,其实是电子的移动
为什么电流通过导线LED的半导体晶片的时候,电子就会被推向P区并跟空穴复合?
PN接怎样持续导电,空穴电子对数量有限,能描述一下半导体两端的空穴,电子怎样“更新”以维持浓度吗?
为什么PN结加正电压时,空间电荷区,空穴运动产生的电流会比电子运动产生的电流大?
当二极管接反向电压时,电源的电子不会进去到P区与空穴复合吗?
pn结单向导电问题我想问,会不会出现这种情况:电源的负极通过导线提供电子给p区的空穴,然后n区的电子通过导线吸引到电源的
PN结的反向电流成分主要是什么?在正偏PN结中的N区,电子进入P区形成的是不是电子空穴复合?
PN节二极管 由于半导体掺杂 P型半导体是空穴多于电子 N型半导体是电子多于空穴 这样P和N组合就有了一个PN节 当电子