作业帮PN结那边是带正电那边带负电.
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：物理作业 时间：2024/05/22 16:30:44
PN结那边是带正电那边带负电.
这个图内电场的方向怎么确定的.
加个电源上去加在那边正向导通.
漂移移动是怎么产生的啊?
P区原子失去一个电子不是带正电吗？
N区多了很多自由电子不是带负电吗？
这个图内电场的方向怎么确定的.
加个电源上去加在那边正向导通.
漂移移动是怎么产生的啊?
P区原子失去一个电子不是带正电吗？
N区多了很多自由电子不是带负电吗？
多数载流子：N型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,简称多子.
少数载流子：N型半导体中,空穴为少数载流子,简称少子.
施子原子：杂质原子可以提供电子,称施子原子.
N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电,掺入的杂质越多,多子（自由电子）的浓度就越高,导电性能也就越强.
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体.
多子：P型半导体中,多子为空穴.
少子：P型半导体中,少子为电子.
受主原子：杂质原子中的空位吸收电子,称受主原子.
P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多,多子（空穴）的浓度就越高,导电性能也就越强.
结论：
多子的浓度决定于杂质浓度.
少子的浓度决定于温度.
PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结.
PN结的特点：具有单向导电性.
扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动.
空间电荷区：扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,所以在交界面附近多子的浓度下降,P区出现负离子区,N区出现正离子区,它们是不能移动,称为空间电荷区.
电场形成：空间电荷区形成内电场.
空间电荷加宽,内电场增强,其方向由N区指向P区,阻止扩散运动的进行.
漂移运动：在电场力作用下,载流子的运动称漂移运动.
PN结的形成过程：如图所示,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在无外电场和其它激发作用下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成PN结.
PN结的形成过程
电位差：空间电荷区具有一定的宽度,形成电位差Uho,电流为零.
耗尽层：绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少,在分析PN结时常忽略载流子的作用,而只考虑离子区的电荷,称耗尽层.
少数载流子：N型半导体中,空穴为少数载流子,简称少子.
施子原子：杂质原子可以提供电子,称施子原子.
N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电,掺入的杂质越多,多子（自由电子）的浓度就越高,导电性能也就越强.
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体.
多子：P型半导体中,多子为空穴.
少子：P型半导体中,少子为电子.
受主原子：杂质原子中的空位吸收电子,称受主原子.
P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多,多子（空穴）的浓度就越高,导电性能也就越强.
结论：
多子的浓度决定于杂质浓度.
少子的浓度决定于温度.
PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结.
PN结的特点：具有单向导电性.
扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动.
空间电荷区：扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,所以在交界面附近多子的浓度下降,P区出现负离子区,N区出现正离子区,它们是不能移动,称为空间电荷区.
电场形成：空间电荷区形成内电场.
空间电荷加宽,内电场增强,其方向由N区指向P区,阻止扩散运动的进行.
漂移运动：在电场力作用下,载流子的运动称漂移运动.
PN结的形成过程：如图所示,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在无外电场和其它激发作用下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成PN结.
PN结的形成过程
电位差：空间电荷区具有一定的宽度,形成电位差Uho,电流为零.
耗尽层：绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少,在分析PN结时常忽略载流子的作用,而只考虑离子区的电荷,称耗尽层.