作业帮半导体物理中表面复合中心Nst与复合中心Nt的关系是什么?
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：数学作业 时间：2024/05/07 14:04:17
半导体物理中表面复合中心Nst与复合中心Nt的关系是什么?
具体题目是说一个施主浓度2*10^16/cm^3的硅片,在920摄氏度下掺杂金到饱和浓度,然后经过氧化等处理,最后硅片的表面复合中心为10^10/cm^2.
然后解答说认为复合中心Nt分布是均匀的,则由表面复合中心可求得Nt=10^15/cm^3.
复合中心浓度Nt是掺杂的金的浓度,是如何通过单位表面积的复合中心总数Nst计算得到的?不会是通过温度查表得到金的注入饱和浓度吧?
（问题出自《半导体物理学》刘恩科,课后习题5-18）
具体题目是说一个施主浓度2*10^16/cm^3的硅片,在920摄氏度下掺杂金到饱和浓度,然后经过氧化等处理,最后硅片的表面复合中心为10^10/cm^2.
然后解答说认为复合中心Nt分布是均匀的,则由表面复合中心可求得Nt=10^15/cm^3.
复合中心浓度Nt是掺杂的金的浓度,是如何通过单位表面积的复合中心总数Nst计算得到的?不会是通过温度查表得到金的注入饱和浓度吧?
（问题出自《半导体物理学》刘恩科,课后习题5-18）
因为表面复合中心面密度为10^10/cm^2,则线密度为10^5/cm,所以
表面复合中心体密度=面密度×线密度=10^10/cm^2×10^5/cm=10^15/cm^3.
表面复合中心体密度=面密度×线密度=10^10/cm^2×10^5/cm=10^15/cm^3.