来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：数学作业 时间：2024/05/07 20:43:37
半导体物理题,连续性方程的二维情况
设一均匀的P型Si样品,用一稳定的光照射其表面,均匀产生电子-空穴对,产生率为Go,若样品无限长,且在X=0表面稳定注入电子浓度^no,求样品X方向的电子浓度分布,已知电子扩散系数和寿命.
有具体数据么.没有话只能代了.而且也没说是小注入大注入,这题目有点问题.而对于扩散方程,只有小注入才有效.以下按小注入来解.
给上图吧,好多符号打不出来
最后是Δn(x)=no*exp(-x/Ln) 其中Ln已经给出.
作业帮