模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易

模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂, 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄? 轻掺杂中掺杂的半导体材料应用有哪些 为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低? 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题 PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 ．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大 为什么高掺杂的半导体耗尽层窄 画图:在不同温度下,费米能级与掺杂浓度的关系(施主,受主)我知道一定温度下费米能级和掺杂浓度的关系也知道一定掺杂浓度下费