锑化铟磁阻传感器在弱磁场电阻值与磁感应强度的关系和在强磁场中时有何不同,有何特性?

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：物理作业时间：2024/05/14 02:41:18

当材料处于磁场中时,导体或半导体内的载流子将受洛仑兹力的作用发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场.如霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场方向运动的载流子数目将减少,电阻增大,表现出横向磁阻效应.如果将图1 中a、b端短接,霍尔电场将不存在,所有电子将向a端偏转,磁阻效应更明显.\x0d通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小,即用△ρ/ρ(0)表示,其中ρ(0)为零磁场时的电阻率,设磁电阻阻值在磁感应强度为B的磁场中电阻率为ρ(B),则△ρ=ρ(B)－ρ(0),由于磁阻传感器电阻的相对变化率△R/R(0)正比于△ρ/ρ(0),这里△R =R(B) －R(0),因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△R/R(0)来表示磁阻效应的大小.\x0d实验证明,当金属或半导体处于较弱磁场中时,一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方,而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性函数关系.磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用.\x0d如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中,由于磁电阻相对变化量ΔR/R（0）正比于B2\x0d,那么磁阻传感器的电阻R将随角频率2ω作周期性变化.即在弱正弦波交流磁场中磁阻传感器具有交流电倍频性能.\x0d若外界交流磁场的磁感强度B为（1）

锑化铟磁阻传感器在弱磁场电阻值与磁感应强度的关系和在强磁场中时有何不同,有何特性? 如图所示，光滑U型金属导轨PQMN水平固定在竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B，导轨宽度为L.QM之间接有阻值为R的电一带电粒子在匀强磁场中，沿着磁感线方向运动，现将该磁场的磁感应强度增大一倍，则带电粒子受洛伦兹力（　　）在磁感应强度B的匀强磁场中,一带电粒子做匀速圆周运动,又进入磁感应强度为2B的匀强磁场中,则如图所示,在磁感应强度为B的水平方向的匀强磁场中竖直放置两平行导轨,磁场方向与导轨所在平面垂直.导轨上端跨接一阻值为R的一带电质点只在洛伦兹力的作用下，在匀强磁场中作匀速圆周运动．现给定了磁场的磁感应强度B、带电质点的质量m和电量q．若用v 一带电粒子在匀强磁场中沿着磁感应强度的方向运动，现将该磁场的磁感应强度增大1倍，则带电粒子受到的洛伦兹力（　　）一带电粒子在匀强磁场中,沿着磁感应强度的方向运动,现将该磁场的磁感应强度增大为原来的2倍, 如图所示,匀强磁场的磁感应强度为B,方向竖直向下,在磁场中有一边长为L的正方形导线框,线框平面与磁场垂直问. 31、一带电粒子在匀强磁场中,沿着磁感应强度的方向运动,现将该磁场的磁感应强度增大一倍,则带电粒子受洛伦兹力（）在磁感应强度b=2t的匀强磁场中,有一个半径r=0.5m 在匀强磁场(磁感应强度为B)中,当一个平面(面积为S)与磁场的方向垂直时,穿过它的磁通量最大吗?