如图所示平行板匀强电场，一束电子流以初速v垂直场强方向飞入该电场，它恰可打在上极板的中央，现欲使该电子流打在上极板的左端

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：物理作业时间：2024/05/16 20:28:50

如图所示平行板匀强电场，一束电子流以初速v垂直场强方向飞入该电场，它恰可打在上极板的中央，现欲使该电子流打在上极板的左端点，以下措施哪些是可行的（其它条件不变）（　　）

A. 电键K闭合时，仅使极板间距增大一倍
B. 电键K闭合时，仅使电子初速和极板间距离均增大一倍
C. 电键K断开，仅使电子初速增大一倍
D. 电键K断开，仅使极板间距增大为原来的四倍

电子在极板间受竖直向上的电场力做类平抛运动，设板间距离为d，极板长L
竖直方向上：d＝
1
2at2＝
1
2
qU
mdt2
水平方向上：
L
2＝vt
联立可得：
L
2＝vd

2m
qu
欲使该电子流打在上极板的左端点，则电子流水平位移应为L
A、电键K闭合时，则板间电压不变，仅使极板间距增大一倍，根据上述表达式，可知，水平方向位移变为L，即使该电子流打在上极板的左端点，故A正确；
B、电键K闭合时，仅使电子初速和极板间距离均增大一倍，由上述表达式可知，水平方向位移为2L，故B错误；
C、电键K断开，则电容器所带电量不变，根据Q=CU，C＝
ɛs
4πkd可知，U不变，仅使电子初速增大一倍，使得水平位移变为L，故C正确；
D、电键K断开，仅使极板间距增大为原来的四倍，根据Q=CU，C＝
ɛs
4πkd可知U变为原来的4倍，根据上述表达式可得，水平位移变为原来的2倍，即变为L，故D正确
故选：ACD