作业帮通过RT曲线测量半导体能隙的问题
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：物理作业 时间：2024/05/17 00:07:25
通过RT曲线测量半导体能隙的问题
我测了一个半导体材料的R-T曲线(4K-300K),做了lnR与1/T的图,通过计算斜率,得到能隙为3meV,但是文献表明这个材料能隙为3eV,整个差了3个数量级.（算过好多遍,单位也没问题）
实在想不出是为什么,公式σ(T)=σ0*exp(–ΔE/kT) 是可用的吗?
急,十分希望高手们的指教!
我测了一个半导体材料的R-T曲线(4K-300K),做了lnR与1/T的图,通过计算斜率,得到能隙为3meV,但是文献表明这个材料能隙为3eV,整个差了3个数量级.（算过好多遍,单位也没问题）
实在想不出是为什么,公式σ(T)=σ0*exp(–ΔE/kT) 是可用的吗?
急,十分希望高手们的指教!
非高手过来探讨一下,你这个半导体是本征的吗?这个公式只对本征半导体有用吧,或者对于掺杂半导体,温度特别高,杂质能级全电离的情况,也就跟本征差不多了.4k-300k显然不够.
假如你这种半导体有各种各样的缺陷能级啊啥的,那就更加了.
假如你这种半导体有各种各样的缺陷能级啊啥的,那就更加了.