小于10nm的SiO2薄膜厚度怎样准确测量?

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：物理作业时间：2024/04/28 10:33:41

小于10nm的SiO2薄膜厚度怎样准确测量?
热氧化生长的SiO2薄膜厚度小于10nm,用什么方法可以准确测量?据说比较难的样子!

这两家都是自动膜厚测量设备,适用于8寸和12寸硅片.KLA-Tencor膜厚设备集成了宽波长段(波长190nm-800nm,190是选配)椭圆偏振法,宽波长段反射测量法,单波长(激光源)椭圆偏振法.所以可以应用范围更宽,从薄到厚都可以测.多层薄膜叠加测量能力很强.Rudolph的椭圆偏振法可最多选装四种不同波长的激光源,每种可以以40-70度的入射角测量.还有一个氘灯光源(190nm-300nm)的反射测量法.光源的局限决定了应用范围的比较狭小,一般只有炉管区用来测SiO2,Poly,SiN.大于三层薄膜叠加测量能力弱.如果只想用台式测量仪.具有宽波长段SE技术的基本都可以.公司有Woollam,SOPRA等.查看原帖

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