n沟道增强型mos管栅极加负电压

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：综合作业时间：2024/04/27 23:41:59

n沟道增强型mos管栅极加负电压
N沟道增强型mos管栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.
我想问,如果加反向电压,那么应该吸引更多的空穴到二氧化硅表面,空穴不是能导电吗?为什么说不能导通?是不是因为必须先使耗尽层联通起来,不然无法形成导电沟道.

要知道导电本质是电子的移动
你可以这样理解 Vgs=0时不导电,可以利用pn解释为空间电荷区在外电场作用下加宽阻碍了电子的运动
那么在沟道被空穴填满是情况更加不乐观了高浓度的空穴会加快与N+区得电子中和 ,从而形成更宽的耗尽层电子移动更加困难
在沟道里充满电子的情况是呢?衬底里的空穴被排斥,电子被吸引这是可以认为沟道整块带负电而含有少子电子 N+区电子浓度高自然会向衬底扩散电流形成
如果是p沟道增强型则Vgs负电压吸引n型衬底中的少子空穴可以认为沟道整块带正点且含有少子空穴,id产生是因为p区少子电子的移动么?

4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管) N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极... N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复? 简单电路问题,求解.一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 V 求 MOS管推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的结型绝缘型、P沟道N沟道、加强型耗尽型MOS管 P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通? 请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能导通?