作业帮 > 物理 > 作业

试说明CTG-1型C-V测试仪测硅外延片杂质浓度时,汞—硅接触漏电或硅片体内串联电阻对测试结果会有什么影响?

来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:物理作业 时间:2024/05/23 15:55:40
试说明CTG-1型C-V测试仪测硅外延片杂质浓度时,汞—硅接触漏电或硅片体内串联电阻对测试结果会有什么影响?
如图6.4,当接触电流过大的话,C2两端就不能忽略,即C1两端的电压不能和电路总电压近似!导致测量结果偏大!硅片体内串联电阻偏大同样会导致测量电压偏大!