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9月18日百校化学8章20题(3)问20、(2014邹城模拟)晶体硅是一种重要的非金属材料,制备纯硅的主要步骤如下: ①

来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:化学作业 时间:2024/05/17 03:18:18
9月18日百校化学8章20题(3)问
20、(2014邹城模拟)晶体硅是一种重要的非金属材料,制备纯硅的主要步骤如下: ①高温下用过量的碳还原二氧化硅制得粗硅,同时得到一种可燃性气态;
②粗硅与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3(Si+3HCl=SiHCl3+H2
③SiHCl3与过量的H2在1000℃~1100℃反应制得纯硅,已知SiHCl3能与水强烈反应,在空气中易自燃.请回答: (3)用SiHCl3与过量的H2反应制取纯硅装置如图所示(加热和夹持装置略去):
①装置B中的试剂是___________。装置C中的烧瓶需要加热,其目的是___________。
②反应一段时间后,装置D中观察到的现象是______________________,装置D不能采用普通玻璃管的原因是___________,装置D中发生反应的化学方程式为______________________。
我的问题是:装置D中观察到的现象,答案说有固体物质生成,反应是在C装置发生的,怎么可能在D装置产生固体?C装置无固体的话,难道D装置有固体?还是C、D装置都有固体?装置C中的烧瓶需要加热,答案又说目的是使滴入烧瓶中的SiHCl3汽化,为什么要汽化?不汽化不行吗?题目条件说的是 “SiHCl3与过量的H2在1000℃~1100℃反应制得纯硅,”这是水浴加热,怎么可能达到1千到1千1百度这么高温制纯硅?如果真达到这么高温度,就没必要汽化了啊,题目没说非要在气体下反应,为什么要汽化?
请老师针对我的疑问解答,谢谢
解题思路: 做连续进行的实验大题的关键是根据实验目的明确各套装置的作用,知道哪个反应在哪个装置中进行。
解题过程:
解答:做连续进行的实验大题的关键是根据实验目的明确各套装置的作用,知道哪个反应在哪个装置中进行。
A装置是制备氢气的;B装置是干燥氢气的;C装置是使SiHCl3气化的;D装置是发生SiHCl3与过量氢气反应制备纯硅的。
故C装置中没有发生化学反应,在D装置中才发生反应生成硅,故只在D中有固体生成。
因为SiHCl3是用粗硅与干燥HCl制得的,里面含有杂质,而实验的目的是制取纯硅,需要用纯的SiHCl3与过量氢气反应,通过控制水浴的温度只使SiHCl3气化进入装置D中,使杂质留在烧瓶中,这是气化的目的。
“SiHCl3与过量的H2在1000℃~1100℃反应制得纯硅,”是在装置D中发生的,D中用的是石英管而不是普通玻璃管就是因为石英管耐高温。
最终答案:见解析。