作业帮三极管的偏置电阻如何设置
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：物理作业 时间：2024/05/21 17:46:18
三极管的偏置电阻如何设置
我要让三极管工作在开关或者放大状态下要如何设置三极管的偏置电阻阿,还有比如ss8550 的管子,有的上面标c331 ,有的标d331 、d
比如是共发射极接法，该怎么设置偏置电阻。
一楼的回答，基本答非我问，只是抄了理论原理来，这个我都知道，也许是我问的不够详细吧。
我要问的有2个问题：一、假如知道工作电压是3.6 那么三极管S9014 （硅管）的偏置电阻如何设置（基极电阻和集电极电阻）
a.工作在开关状态时，要如何设置偏置电阻。b.工作在放大状态时，要如何设置偏置电阻。请教各该如何计算偏置电阻。
二、如三极管上面标SS8550 D331 或者SS8050 C331 这个D331和C331 编号呢还是有别的含义？
我要让三极管工作在开关或者放大状态下要如何设置三极管的偏置电阻阿,还有比如ss8550 的管子,有的上面标c331 ,有的标d331 、d
比如是共发射极接法，该怎么设置偏置电阻。
一楼的回答，基本答非我问，只是抄了理论原理来，这个我都知道，也许是我问的不够详细吧。
我要问的有2个问题：一、假如知道工作电压是3.6 那么三极管S9014 （硅管）的偏置电阻如何设置（基极电阻和集电极电阻）
a.工作在开关状态时，要如何设置偏置电阻。b.工作在放大状态时，要如何设置偏置电阻。请教各该如何计算偏置电阻。
二、如三极管上面标SS8550 D331 或者SS8050 C331 这个D331和C331 编号呢还是有别的含义？
三极管一般为三种状态,截至,放大,饱和,
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态.
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态.
不难看出如果你只要你确定了工作电压,就可以算出偏置电阻的大小了.
一般管子我们分A管和C管,即PNP,和NPN
9014是NPN型三极管只要在基极加零点几伏正电压,就可以工作,如果集电极是3.6v,基极电阻从几K到十几k,如果要精确最好加表用电位器到临界导通状态.三极管开关状态,基极电阻也是一样,要让三极管振荡最先也是要要让三极管导通-饱和导通-截至,最后两部是靠电路的反馈来完成,不知道你明白没有.电子元器件基础知识（4）——半导体器件
一、 中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料.
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件.
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
日本半导体分立器件型号命名方法
二、日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推.
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志.S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件.
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型.A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅.
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号.两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品.
第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志.A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品.
美国半导体分立器件型号命名方法
三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱.美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型.JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品.
第二部分：用数字表示pn结数目.1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件.
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志.N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记.
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号.多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号.
第五部分：用字母表示器件分档.A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别.如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档.
四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法.这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料.A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态.
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态.
不难看出如果你只要你确定了工作电压,就可以算出偏置电阻的大小了.
一般管子我们分A管和C管,即PNP,和NPN
9014是NPN型三极管只要在基极加零点几伏正电压,就可以工作,如果集电极是3.6v,基极电阻从几K到十几k,如果要精确最好加表用电位器到临界导通状态.三极管开关状态,基极电阻也是一样,要让三极管振荡最先也是要要让三极管导通-饱和导通-截至,最后两部是靠电路的反馈来完成,不知道你明白没有.电子元器件基础知识（4）——半导体器件
一、 中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料.
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件.
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
日本半导体分立器件型号命名方法
二、日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推.
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志.S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件.
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型.A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅.
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号.两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品.
第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志.A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品.
美国半导体分立器件型号命名方法
三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱.美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型.JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品.
第二部分：用数字表示pn结数目.1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件.
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志.N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记.
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号.多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号.
第五部分：用字母表示器件分档.A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别.如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档.
四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法.这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料.A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg