PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：物理作业时间：2024/05/28 21:38:23

PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系

不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?
齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理解：耗尽层的宽度很窄,加上反向电流,加速漂移运动,耗尽层变得更窄,直至击穿.

总的来说,齐纳击穿和雪崩击穿的性质和区别没能理解,望懂的人给在下讲解讲解,

第一问：对于N型半导体,自由电子是多数载流子（多子）——杂质原子提供,空穴是少数载流子（少子）——热激发形成；而P型半导体,空穴是多子——掺杂形成,自由电子是少子——热激发形成.多子的数量与掺杂浓度有关,高掺杂则多子数量多.P型半导体和N型半导体中间的空间电荷区就是PN结,因为其缺少多子又称耗尽层.高掺杂时耗尽层两端的浓度差大,多子的扩散运动剧烈,空间电荷区理论上加宽,但是空间电荷区产生的内电场导致少子的漂移运动也剧烈,空间电荷区又要变薄,最终要达到动态平衡,所以相比低掺杂时达到动态平衡所需时间更短,载流子运动距离短,电子和空穴很快就复合了,耗尽层也就窄了.
“齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”,前面已经说过高掺杂,耗尽层宽度（d）小,将其看成平行板电容器,内电场E=U/d,所以E很强,直接打断共价键.
第二问：齐纳击穿,掺杂浓度高,内电场强,利用这一性质做成了稳压管；
雪崩击穿,掺杂浓度低,碰撞电离,就像滚雪球的倍增效应,利用这一性质做成了整流二极管.两者都属于电击穿,一定条件下是可逆的.

关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变（）为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层? PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法 PN结耗尽层中的杂质离子为什么不能移动? PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯 PN结空间电荷区宽度的数量级是多少模电书中说在掺杂浓度不对称的PN结中耗尽区在重掺杂一边延伸较小而在轻掺杂一边延伸较大这是为什么啊自学模电不易半导体物理学：耗尽层近似的局限性 PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大