保存东西后的优盘与之前比较有没有物理变化,是什么原理使它能储存东西呢?
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/05/07 04:17:38
保存东西后的优盘与之前比较有没有物理变化,是什么原理使它能储存东西呢?
没有物理变化
U盘的存储原理
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚.浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体.它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅.数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子.有电子为0,无电子为1.
闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化.具体说就是从所有浮动栅中导出电子.即将有所数据归“1”.
写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做.写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量.这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅.
读取数据时,向栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0.浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于大量电子的移动,就会产生电流.而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少.因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟道产生影响.
U盘的存储原理
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚.浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体.它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅.数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子.有电子为0,无电子为1.
闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化.具体说就是从所有浮动栅中导出电子.即将有所数据归“1”.
写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做.写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量.这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅.
读取数据时,向栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0.浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于大量电子的移动,就会产生电流.而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少.因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟道产生影响.
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