作业帮N型半导体与金属中谁的自由电子多?
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：化学作业 时间：2024/05/15 10:41:39
N型半导体与金属中谁的自由电子多?
当然是金属中的自由电子多.
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子,称他们为施主杂质或n型杂质.在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电,由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性.自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成.掺入的杂质越多,多子（自由电子）的浓度就越高,导电性能就越强.
该半导体中,是由掺入的V族元素改变原硅晶体的原子结构,提供自由电子.
而金属中每个原子都能够提供自由电子.
再问： 肖特基二极管 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。 上面是百度来的，上面为什么说金属中的自由电子是极少量的？
再答： 金属的最外层电子比较活泼，容易脱离原子核的吸引而成为自由电子，在外加电场的作用下更容易导电；在没有外加电场的时候，自由电子的多少跟金属原子束缚电子的能力有关，贵金属一般都是原子结构比较稳定的元素组成，金银的都特别难于其他物质发生反应，不容易失去电子，所以在没有外加电场的时候，其内部自由电子的数量相对较少。 而二极管，在掺入V族元素后，破坏了晶格中硅原子的位置，构成了容易脱离的电子和带正电的空穴，游离的自由电子浓度比贵金属中的浓度大，所以就会发生扩散运动，造成电子向贵金属移动，形成电势差，造成了肖特基势垒。
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子,称他们为施主杂质或n型杂质.在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电,由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性.自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成.掺入的杂质越多,多子（自由电子）的浓度就越高,导电性能就越强.
该半导体中,是由掺入的V族元素改变原硅晶体的原子结构,提供自由电子.
而金属中每个原子都能够提供自由电子.
再问： 肖特基二极管 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。 上面是百度来的，上面为什么说金属中的自由电子是极少量的？
再答： 金属的最外层电子比较活泼，容易脱离原子核的吸引而成为自由电子，在外加电场的作用下更容易导电；在没有外加电场的时候，自由电子的多少跟金属原子束缚电子的能力有关，贵金属一般都是原子结构比较稳定的元素组成，金银的都特别难于其他物质发生反应，不容易失去电子，所以在没有外加电场的时候，其内部自由电子的数量相对较少。 而二极管，在掺入V族元素后，破坏了晶格中硅原子的位置，构成了容易脱离的电子和带正电的空穴，游离的自由电子浓度比贵金属中的浓度大，所以就会发生扩散运动，造成电子向贵金属移动，形成电势差，造成了肖特基势垒。
N型半导体与金属中谁的自由电子多?
本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度?
n型半导体中的空穴是怎么形成的还有为什么自由电子比空穴多
半导体中自由电子与空穴的能级是否一致?不一致的话,他们能否复合?
N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,P型带正电?
关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性.
空穴和自由电子哪种的导电能力更强?是P型还是N型半导体导电能力强?哪种半导体更常用?
霍尔效应中,金属导体中移动的只是自由电子?那么半导体和载流导体和载流子都是什么呢?什么叫载流子?
简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?
金属导体中电流的方向与自由电子定向移动的方向相反为什么?金属导体不是靠自由电子的移动吗?
金属导体中电流的方向与自由电子定向移动的方向相反解释一下
金属导体中电流的方向与自由电子定向移动的方向相反吗?