作业帮pn结理想的反向饱和电流密度
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/23 20:11:20
没有反向电压了,反向电流就没了,在高压条件下你想让它没电压是绝对不可能的,你想要反向电流小倒有可能,想一点也没有,现在还没人做得到.
一般说来,在反向偏压或小的正向偏压下,p-n结以势垒电容为主,只有在大的正向偏压时才以扩散电容为主.
发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向
稳压二极管也是用的PN结反向伏安特性,只是比一般的PN结击穿电压低,还是可逆的的,伏安特性更陡.一般串联电阻,电压增加一点点,电流急剧加,等效阻抗变小,拖低在稳压管上的电压.
你想问什么的?是普通二极管还是稳压二极管,至于电流大不大你应该好好的去看看它们的伏安特性曲线
正向导通、反向截止；反向击穿答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!
跟Vd有关是因为随着反向电压的增大,势垒抬高,耗尽层变宽,所以被反向抽走的电子和空穴就会增加,所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定.但是对于硅pn结,反向饱和电流一般在10e-14A～10
我想是没有反向电流密度公式这回事.由於在一定的反向电压下,反向的电流会很小(甚至为零);只是当反向电压达到某值后,反向电流就会激增,此时称二极管被击穿.通常我们会认为反向电流近似为零.
因为半导体本身也是能够导电的,PN结的反向电流其实就是半导体的导电电流罢了.不过导电性能非常差,不过比一般的绝缘体导电性能还是要强的.反向电流是毫安级别的.而导通的电流一般是用A作为单位的.
少数载流子浓度增大.
当外加反向电压时,呈现的电阻（反向电阻）很大,通过的电流很小（通常可以忽略不计）
如果加到PN结两端的电压达到一定的值的时候,反向电流突然增加,这个现象称为PN结的反向击穿又称电击穿.PN结击穿有两个原因,一个是雪崩击穿,还有一个是齐纳击穿（大多出现在齐纳二极管中）雪崩击穿和齐纳击
不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用.补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的B
二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱
P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子
1.正向电压加在PN结上,PN结导通,反向电压加上后,PN结截止；2.二极管的基本结构也是一个PN结,存在导通电压的问题,即正向电压大于一个值的时候才会导通,否则就截止,一般硅二极管为0.7V,锗二极
一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.
P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!
当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向