PN结加的电压频率过高失去单向导电性是不是永久失去

PN结上的电压与电流不符合欧姆定律.当PN结外加正向电压时,电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时,电流约等于反向饱和电流.当外加电压极性不同时,PN结表现出不同的导电性能,即出现单向导电性.

在低于开启电压时,二极管双向都不导通,也就无所谓单向导电性.二极管的单向导电性是说在正向开启电压之上,是其本质属性,不会变的.　　BYM26A是硅高速整流管,正向导通电压约0.7V,而图中的信号电压幅

因为PN结反向截止时形成一个耗尽层,相当于一个中间绝缘层的一个小电容,因此当电压频率升高后,高频信号会通过这个小电容穿过,也就是反向信号也可以穿过二极管,就失去单向导电性了.这个小电容也就是二极管的结

正向导通、反向截止；反向击穿答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着

你没必要纠结这个,我们不是搞理论研究的.你只要知道pn节油单向导通特点,会用万用表检测单向导电功能好坏就可以啦.原理是,pn节p型和n型的原子结构不一样,一个是电子型,一个是空穴型,电子和空穴都有扩散

选A,外加电压大于VRRM,二极管被击穿正反都导通了

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场.当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电

PN结的单向导电性是半导体器件的制造原理.半导体器件在实际生活中的应用极为广泛,可以说基本上有电子电路的地方就一定会用到半导体器件.半导体器件：如二极管,三极管,晶闸管等等.

整流,检波,钳位

PN结具有单向导电的特性,这也是由其构成的半导体器件的主要工作机理.如果在PN结上加正向电压,外电场与内电场的方向相反,扩散与漂移运动的平衡被破坏.外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结：一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结：一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主

电压频率只如果加上交流点的话（不一定是正弦波）,频率高的话电容的容抗就小,就是你说的“通交流阻直流”.结电容不是常量与失去单向导电性没直接因果关系.不是常量是因为外加电压会导致那个什么场的等效距离不一

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

PN结上电压与电流不是线性的.加上正向电压时,P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象,导致阻挡层变薄,正向电流随电压的增长按指数规律增长,宏观上呈现导通状态,而加上反向电压

先要知道～Si掺杂入3价元素就是P区,掺杂入5价元素就是N区．然后应该这么理解～PN结加正相电压,使空间电荷区减小,有利于多子的扩散,P区多子是空穴,少子是电子,N区多子是电子,少子是空穴．反之,当P

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!