PN结上加上电压会出现电荷平衡吗

温度升高时,PN结的正向电流增大、正向压降降低,即正向电流具有正的温度系数,正向压降具有负的温度系数；这主要是由于PN结的势垒高度降低所造成的结果.并且反向电流随着温度的升高也增大,这主要是由于两边少

可以这样来理解,（1）P型半导体体内空穴浓度大,N型半导体电子浓度大,当P,N型半导体接触时,就会有电子空穴对的复合.P型（掺三族元素）,N型材料（掺五族元素）本来是中性的,P型部分区域的空穴被复合后

多子当然不是无穷的,当电子和空穴复合后,会分别从电源获取电子和空穴.从而源源不断的进行扩散运动.实际情况下,这个过程持续的长短是和电源所拥有的电荷有关的.但是你要主意这种理想化的表述方法：在PN结两端

硅二极管差不多0.5-0.7V锗二极管差不多0.3-0.5V再问：再请问有关三极管的书籍能介绍点看看吗？

1:空穴与电子带相等的电荷量,并且一个带正电一个带负电.2：平衡,不动我在3给你讲原理就知道了3：原理：PN结是由P型半导体和N型半导体构成的,这些我不讲,书上有定义.我重点说下形成过程.P区载流子包

楼主是指甲苯的硝化反应吗?甲苯和混酸(硝酸和浓硫酸混合）反应得到邻硝基甲苯和对硝基甲苯.

正向导通、反向截止；反向击穿答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!

书上应该是说闯进空间电荷区或空间电荷区附近的少子会受到电场力的作用而漂移到对面.如你所说,一旦N区的空穴进入空间电荷区,那么空穴受到向P区的电场力,肯定是向P区漂移的,至于你说的正离子的排斥力,那么你

电子和电流方向相反,过程可以这样描述：电子先进入n区,汇合n区自带的电子,在与内电场方向相反的外电场的作用下,打破扩散运动和内电场所构成的原有的动态平衡,一起做扩散运动,穿过pn节这个空乏区,扩散进p

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.

你若没有专门仪器的话,先准备最大电压超过被测管子的可调电源,足够阻值的可调电阻,足够量程和精确度的电压表、电流表.将可调电阻设置为10K以上,将电源串上电阻、电流表接到PN结上,P端为负.电压表按极性

当二极管两端还有明显压降时PN结处于“反向击穿”状态,有齐纳击穿和雪崩击穿但是若无明显压降,此刻二极管已损坏

我学到的知识是PN不会随电压的大小而发生宽度变化,只会在内部形成势能壁垒变化,这个变化才会导致PN结的导通或截止.

扩散运动是指在热运动作用下,分子系有高浓度向低浓度扩散的趋势.而在外电场作用下电荷有定向移动的趋势.你仔细分析这两种趋势,不难得出结论.需要指出的是总的结果是两种作用综合而引起的,不要混淆就行了.我想

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导

漂移电流是电子沿电场反方向运动,空穴沿电场方向运动PN自建电场是N区指向P区,所以电子向N区漂移,空穴向P区漂移,与扩散方向相反你的问题可能出在是把PN结看作了平板电容器,虽然PN结具有势垒电容,可以

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

这个问题你最好看一下PN结的伏安特性曲线或二极管的伏安特性曲线（或者你看一下三极管的输入特性曲线）.仔细看一下,在正向特性上,随着UBE会随着Ib的电流增大而增益.这个就是半导体的非线性,理论上说,对