负载时的实际铜损耗和铁损耗与空载实验短路实验时测定的空载损耗和短路损耗有无差别

好像你说的有问题吧.激光器的腔体可以有谐振腔和外腔之分.在谐振腔里,激光器的损耗有很多种类,比如偏折损耗,法布里珀罗谐振腔就有较大偏折损耗,而共焦腔的偏折损耗较小,适合于小功率连续输出激光,还比如反转

声音的传播能量损耗显然是和介质有关,真空中就不存在声音的传播,更谈不上能量损耗,而光的传播其实就是光子的一系列变化.虽说光与声都是随着时间的延长逐渐衰减,但是更主要的是其传播方式!和时间不是主要关系!

变压器的负载总损耗=电阻损耗+各种附加损耗及杂散损耗电阻损耗=线圈的直流电阻乘以额定电流的平方（电阻换算到75度,）各种附加损耗及杂散损耗对于不同的变压器来说是不同的,一般小变压器取总电阻损耗的8%.

空载电流是指在变压器铁心中产生磁通和空载损耗所需的输入励磁绕组的电流.空载损耗主要是磁通在铁心硅钢片中产生的磁滞损耗和涡流损耗.其次还包括空载电流在励磁绕组上产生的电阻损耗和绝缘介质中产生的损耗,一般

安培定则:右手握空心状,拇指指向磁场方向,四指指向方向为电流,只要有磁场产生,这个电流必定产生,铁芯是导体,片与片虽有绝缘,但每一片仍会沿铁芯的表面形成一个回路,象个漩涡,所以叫涡流.至于线圈涡流,因

线圈的电阻损耗为：I*I*R=5*5*1=25W铁芯损耗为：200-25=175W再问：漏抗没损耗么再答：那是无功功率

找不到等效电路图给你看,不知道你会不会画,画出来就好解释了.空载的时候,等效电路是R1,X1,Rm,Xm串联,流过的是空载电流.Rm》R1,这个是制造时决定的.所以损耗主要在Rm上,Rm是励磁电阻,主

介质损耗包含栅极损耗及介质材料的损耗?功率损耗多指电路损耗如线路,电机,电阻,及其他损耗如电子管（晶体管）功率损耗和介质损耗如设备调试最佳损耗就小,如果调试不好介质损耗大功率（效率就小）

能量损耗主要与物体间的弹性及摩擦等因素有关,如果你是研究两个物体碰撞的实验时,能量的损耗的多少与物体的弹性情况、物体动能的大小有关.因此能量损耗=物体的动能*k＝K*v^2,其中K与物体的质量、物体间

变压器损耗中的空载损耗,即铁损,主要发生在铁芯叠片内,主要是因交变的磁力线通过铁芯产生磁滞及涡流而带来的损耗.在1900年左右,经研究发现在铁中加入少量的硅或铝可大大降低磁路损耗,增大导磁率,且使电阻

此公式是把电路的功率因数从cosψ1提高到cosψ2,所需并联电容器的电容量.C=P/ω（U的平方）×（tgψ1－tgψ）P：负载吸收的有功功率U：负载端电压有效值ψ1、ψ：补偿前、后电路的功率因数角

空载试验测空载损耗,短路试验测短路损耗.空载损耗是变压器一次侧施加额定电压时铁芯激磁所产生的损耗,是固定不变的,与变压器二次侧是否带负载及负载大小无关.试验时是将二次侧开路,一次施加额定频率的额定电压

带负载运行时,负载增加时铜损耗增加,铜损耗=一次绕组电阻乘一次电流的平方+二次绕组电阻乘二次电流的平方（注：如果是三相,则为每相铜损耗之和）空载损耗,主要是铁损耗（和空载时一次绕组的铜损耗）铁损耗基本

U=IR,所以电压损耗与电流的大小和导线的电阻有关.P=I平方XR所以功率损耗也是与电流的大小和导线的电阻有关

【（（（高压额定电流平方*高压三相平均电阻）+（低压额定电流平方*低压三相平均线电阻）））*1.5*（（235+负载测量温度）/（235+电阻测量温度））*（（（235+75）/（235+负载测量温度

无线传输频率和他们两个之间没有关系,和他们两个有关系的是无线设备的天线的信号的强弱,在一个传输距离也和无线的标准有关系,损耗是距离越远的地方信号越弱

线路损耗计算包括电压降、耗散功率.计算需要的数据主要有：工作电压、工作电流或负载功率、导线距离、导线横截面积和电阻率.公式：单根导线电阻：R=电阻率*(L/S);R=单根导线压降U*I导线横截面积S=

第四项正确,主要为铁损耗

商品的保管损耗是指在一定的期间内,保管某种商品所允许发生的自然损耗,一般以商品保管损耗率表示.商品保管损耗率即库存商品自然损耗率,是某种商品在一定的保管条件和保管期间内,其自然损耗量与该商品库存量之比

电压损耗主就是线路首端和尾端的电压差,这个与导线的截面积和大小有关.功率损耗=电压损耗（电压差）平方/导线的电阻=导线通过的电流的平方X导线的电阻.电能损耗=功率损耗X时间