作业帮Ni3Al单晶晶体生长
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/10 10:34:55
从外观上是很容易分辨出来的呀,明显不一样单晶的、颜色均匀,多晶表面有【块状色斑】我给你找了个图片
不是,引晶是拉晶里面的一个步骤,一般拉晶是指单晶生长的整个过程,其中包括清炉、装料、抽空、化料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉.再问：谢谢答复！那这么说的话，拉晶是否就是长晶？拉晶过程中的引晶具体
1.底部籽晶法2.冷坩埚法3.高温高压法4.弧熔法5.提拉法6.焰熔法7.熔剂法8.水平区熔9.升华法10.水热法生长晶体11.水溶液法生长晶体12.导向温梯法（TGT）等等
主要收到热场保温效果以及温度梯度控制,正常情况下1.2--1.6
单的效率高点
多晶是众多取向晶粒的单晶的集合.多晶与单晶内部均以点阵式的周期性结构为其基础,对同一品种晶体来说,两者本质相同.两者不同处在于单晶是各向异性的,多晶则是各向同性的.在摄取多晶衍射图或进行衍射计数时,多
热场不均匀最大的影响是影响晶体生长得方向,因为温场不均匀不能形成正常的温度梯度.
就是一个大的抛物线图,和分别两个小的曲线要得到多且小,则成核速率快,生成速率慢,所以低温的比较好,在最大总结晶速率的左边一段.要得少且大晶花,则结核速率慢,生成速率慢,那高温就比较好,所以应该在最大总
以什么方法来生长的啊?焰熔法还是其他什么的?如果是焰熔法,炉内温度能达到多高?能不能进行缓慢降温?其他有没有什么详细的参数啊?
晶格间距是用软件测出来的,然后比对XRD中的数据,比对上晶面,面c图中处于长的方向上,还有在XRD中,这个面的峰也是最高的吧.仅供参考）
解题思路：这两道都是关于交际用语的题目，答题的方法就是根据上一句来选择下句。解题过程：第一题选择D,本题考查的是中国名字的英文写法，即：姓和名的第一个字母分别大写。本题中的Wang是姓，Hongli是
一般液体长出来的都是多晶,除非采取特出的控制,是液相中的小晶核不能自由长大,只能沿特定的某一取向生长时,才会长出单晶,工业上单晶硅的生长就是用这噶办法,具体操作你可以看一本金属学的书
单晶冰糖,就是整体冰糖就是一个晶体.是白砂糖通过溶解再结晶而成的,简单来说,就是比较大的蔗糖晶体而已.是在1962年左右才出现的新产品,其功效和白砂糖差不多,只是个头比白砂糖晶体大些,纯度更高些.其相
物质分两种,晶体和非晶体,晶体是指有确定熔点的,对于晶体来说,有排列,其最小切割单元叫晶胞,如果排列是按唯一取向的,那么称为单晶
必须要再溶解,你是什么晶体,如果是单晶硅,即使再溶解,长出来和原先也是不一样的,但是差别非常小,用提拉法
crystalgrowth物质在一定温度、压力、浓度、介质、pH等条件下由气相、液相、固相转化,形成特定线度尺寸晶体的过程称为晶体生长.其原理基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系的
晶面能量越高,原子堆积速度越快,垂直该晶面方向的生长速度就快.而这样的后果有两个：1.晶体沿垂直该晶面的方向快速生长；2.该晶面在生长过程中消失.
化学成分硅是元素半导体.电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb.拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质,以获得所要求的导电类型和电阻率.重金属铜、金、铁等和非金属碳都是
156单晶22.46；125单晶34.99；165单晶20.08.
1、单晶材料是指材料整体为一个晶核长大,最后形成单一晶体的材料.2、单晶材料不存在晶粒大小问题,也没有晶界.