mos管控制极最高电压

N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的.具体可查你选用元件手册.

仙童2N7000BU/2N7000TAFDV303N（耐压25V）

Vgs代表开启电压

你用一个mos管是不能通断控制的,要么开不了,要么关不断.你前面一级要加个NPN的三极管,3.3V控制24V,再用这个24V去控制mos管.三极管电流不需要选大的,普通的就行了,mos管选个电流大点的

MOSFET开启电压5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要12+5=17V才能导通.这个说的对.Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压,超过就击穿

这两个电容120个可以并联；用电流超过40A的大功率mos管；控制可以用简单的9v电压；控制极可以用另外一个电源.答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!再问：推荐一个mos型号吧要便宜要有几个mos并联再答

由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的

加一级光耦隔离.再问：光耦输出电流太小了，我的电流要20mA左右的，那个只有几毫安再答：TLP52150mA，如果还不够可以扩流。

这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压,标记为Ugs(th)一般N-MOSFET的话,这个电压一般是2-4V之间.不过要提醒你的是：这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压,如果要

RU7088R：VGS＝10V,VDS＝70V,ID＝40A,

要解释你的问题,首先要了解MOS管的工作原理.MOS管与一般晶体三极管是不同的.它是电压控制元件,它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻.在栅极施加不同的电压,源-漏极之间就会有电阻的变化,这就是MO

电路错了,PMOS你还D入S出?也就是说,S和D反了,调过来就对了.这个电路很常用,类似于PNP型三极管,对P三极管来说,E接电源入,C接控制输出,同理如上.再问：反过来测试可以工作，但是电压会从4V

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

G不用高于DG一定要高于Gth电压就是G导通的门限电压其实G应该高于Gth+S的电压

阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8,过驱动电压为Vgs减Vth

如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话

兄弟!以下有几款Mos管.都符合你的要求.随便抓一个就OK.至于接法嘛.很简单.D接输入.S接输出.G接IC脚.值得注意的是.G脚一定要接一个电阻到S.大概是100K吧.用于静噪.防止勿开启.封装一般

MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启.在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的.沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但