硅片中掺杂了磷,在300K下假设掺杂原子全部电离,求其多数

单一变量画图,画出的是个曲线；双变量画图,画的就是一个二维的曲面.使用matlab的3dplot是可以比较简单的实现你的需求的,x方向改变掺杂浓度,y方向改变温度.z方向代表fermilevel.生成

Si的价电子共有4个,要达到8电子结构还需要4个电子.如果引入少量其它元素原子替代硅就够成了掺杂：1、引入的元素原子价电子比硅少,如引入Mg、Al、Zn、Ga等,它们的价电子都少于4,这样就在硅的能带

按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.

“快来人呐……快来救救我的孩子……”一个个子不高的中年男人怀里抱着一个十几岁的男孩才是我们该有的胸怀山峦与树木,雪野与房舍.一条条流动的河.空中划过的鸟鸣.一点一点的,多么靠近一片当初只想吓唬一下父母

男孩二话没说就端起瓶子一饮而尽.然后回到家里躺在炕上流眼泪在那赤裸的天空上房顶.杨柳依然的摇曳依然的瞌睡和吵醒浩渺的嘉陵江啊·山峦与树木,雪野与房舍.一条条流动的河.空中划过的鸟鸣.一点一点的,多么靠

答：1)对掺杂的Si、Ge,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；2)对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；3)电离杂质

不懂这方面的内容,帮不上忙,不好意思.

硅是很好的半导体,一般集成电路的基底都是用个硅半导体,因为价格相对比较便宜.由于半导体的特性,为期参杂不同物质（3价或者物价的粒子）就可以呈现不同的导电特性,其次,也可以将其氧化,硅氧化物是绝缘体,故

这是别人的回答：电场强度等于：掺杂浓度*宽度（e=nd*w）电势差等于：电场强度*宽度所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方.产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄.我觉得也可以这么理

很多种,扩散啊,离子注入啊,你去找找半导体工艺的书看吧,很详细的

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就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.

所谓的纯化学反应和物理反应的概念,只是停留在高中阶段,高中时我们可以很明确地说这是物理反应,那是化学反应,但是现在好多东西却不能区分了,现在衍生出了物理化学学科,有兴趣可以看一下啊.

在PN区交界处,扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,重掺杂区域复合较严重,而复合掉的电子有来自清掺杂区域

在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移

在每10^5个硅原子掺入一个磷原子,则：1--磷的掺杂浓度是：10^17/cm^3；2--假如硅是单晶,在室温下杂质全部电离.请您用以下公式计算硅的电阻率：ρ=1/（q*n*μ）其中q是电子电荷；n是

二氧化氮和一氧化氮混合气体

一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗.清洗液的强氧化性,将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后,再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7

半导体材料主要做半导体器件,构成电路,有的还可以做成发光的LED轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一样,所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现

ThegentlemancultureistheexternalizationofthenationalcultureofEngland,andawholenewsocialculture,based