电容电流的导数ic(t)=C*duc(t) dt

TI,TOSHIBA,IBM,NEC,IR,SYSTEM,LANSDALE,Lattice,Microsemi,美国国家半导体,PHILIPS,RICON,ROHM,ST,常用的就这几个.其他的都是国

仅供参考

总电压表达式：I*R+U=E电流与电容电压的关系：I=C*dU/dt由以上两式可得C*R*dU/dt+U=E,用分离变量法解此一阶微分方程,易得U=E*[1-e^(-t/CR)].再由15s时的信息可

,再问：谢谢哥们正确答案也是B能否跟我说下这题怎么判断力的方向的用了什么知识点呢==抱歉我物理小白再答：a,b在c处产生的磁场方向向右（按右手螺旋定则及磁场叠加原理可判断出来），如图中B，载流导线c在

充电完成的时候电容两端的电压应该等于电源电压,这让电阻两端才不会有电压,也就不会有电流.所以充电完成电容两端电压为15V.嗯.不知道微积分你学了没有.是这样的,电流的定义是单位时间内流过的电荷量.有点

电压：Uda=Udb=Udc=0电流：IA=IB=IC=Ua/Xd

首先找准不会突变的量Uc(t)求Uc(0+),当t<0时,电路以稳定,电容C相当于断路两端电压与1K欧姆电阻两端电压相等有Uc(0-)=Uc(0+)=12/2 *1=6V；求Uc(无穷

Ia=5500mA=5.5aIb=0.55AIc=5500000AIc>Ia>Ib再问：抱歉，题目打错了，Ic=5.5x10^3ma再答：Ic=5.5AIa=IcI>b1A=1000mA=100000

T.C.　是TemperatureCharacterics：温度特性Y5V为标准温度：25度温度范围：从零下30度到85度静电容量变化：+22%,-82%再问：有其他代码吗？你是怎么找到这个答案的？再

网上买就可以嘛

q=UCσ=q/S=UC/SD=σ=UC/SΨD=DS=UCdΨD/dt=C(Umsinωt)'=UmωCcosωtId=dΨD/dt=UmωCcosωt

其时只要不是特意强调暂态过程,一般在进行类似计算时,都把它看成是稳态过程.在稳态过程中,就没有过多的问题.至于你说的这个,你没有注意到公式里是电压及时间的任意微小的变化量吗?这里只是强调数值大小,而没

利用∫δ(t)dt=1∫idt=Q=CU=20i=20δ(t)

看不懂你到底想要知道什么,不过有一点错误要纠正,容抗和灯的电阻所产生的阻抗是两者的矢量和,即Z=√Zc²+R²Z为电路总阻抗,Zc为容抗,R为灯泡电阻还有计算容抗的必要条件电容量C

3.B4.A7.不清楚图,是不是原来是134串联后再与2并联?ab是路端电压?若是的话简单的三分电压就是了,8V再问：第三题你是怎么算的？再答：采用串联分压计算方法，实际上就是欧姆定律：I=U/（3R

由运放构成的反相输入积分电路的积分电流:ic=ui/Ri.其中ui是输入电压,Ri是输入电阻,ic是积分电流.这是对的.由于是采用了运放,对于反相输入的运放来说,同相输入端接地,这样对于反相输入端来说

dt是时间的微分,du是电压的微分.du/dt就是电压对时间的导数.是电压、时间在直角坐标系上的曲线上某点的切线的斜率,随时间的变化,当然是处处不等的.也可以理解为电压对时间的变化率.

由C=Q/U=△Q/△U,得：△Q=C△U=0.1*10^-6*10=10^-6CI=△Q/△t=10^-6/100*10^-2=10^-6A再问：我不太会这些单位间的换算再答：C=0.1μF=0.1

uc(0+)=6V*3Ω/（1Ω+2Ω+3Ω)=3V.时间常数τ=R0*C=（2Ω//3Ω）*C=（6/5）*5*10^(-6)=6*10^(-6)(s)换路后此电路为零输入响应.uc（t）=uc(0

根据题意,列出一个微分方程：ds(t)-----=C-s(t)dtds(t)-----=dt（此处C≠s(t)）C-s(t)□ds(t)∫-----=∫dt（“□”起空格作用,无意义）□C-s(t)-