现有一晶体管,已知β＝80,IB=1mA,IC=0.5A,可判定它工作 在状态.

Rbe也应该为已知.(1)us=ib*Rbe+(β+1)ib*RFu2=βib*（RL//Rc）Au=u2/us=β(RL//Rc)/(Rbe+(β+1)*RF)特别地：当β>>1、Rbe1、Rbe

28021*150=4203150斤=2101575Kg=2101.575吨

用方格法测出各方格点的高度,按平均高程减设计高程就是该方格的土方,总和全部方格就是土方总量.

（1）这是共集电极放大器,又叫射极输出器.（2）电压增益=(1+β)(5//5)/[rbe+(1+β)(5//5)]=101*(5//5)/[2.5+101*(5//5)=252.5/255=0.99

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

a、480KIb=Ic/βIb=(Vcc-Vbe)/Rb≈Vcc/R

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

晶体管截止时,Vc-Ve的值也是大于0.7V啊!1、测量基极与发射极的电压.拿硅管来讲：基极与发射极的电压在0.65V左右时,为放大状态,小于0.6V为截止状态,0.7时呈饱和状态.2、测量集电极的电

Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66

当晶体管工作在放大区时,集电极电阻和电源电压的变化不会引起集电极电流的明显变化（只要这两个参数的变化不致于使晶体管的工作状态离开放大区）.

-2.3和-2之间差0.3,所以这两个是e,b,所以电流是e到c,所以e比b电压高,所以e是-2b是-2.3c是-6

数据结构.listDelete（&L,i,&e）StatusListDelete(List&L,intI,ElemType&e){if((iL.length))returnError;p=*(L.el

12-3=9V9V/(5+3)=1.125mAUB=0.7+3*1.125=4.075V

1,物体从2R处运动到地面过程中引力做的功的大小等于引力势能,2,物体从无穷远处运动到2R处过程中引力做的功的大小等于引力势能的负值.再问：第2个怎么计算再答：和第一个一样，都要用积分计算，因为是变力

可以设计,要用恒流源或近似恒流的电流源提供基极电流,集电极用电阻对Ic取样,比如Ib=1mA,集电极电阻用100欧,如果β=100,这个电阻上就有10V压降,再利用LM393之类的比较器两只挑出对应β

静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊

基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V

射极电流IE=(1+β)IB,那么10*IB+Ube+1*IE=12V,写成IB的式子,分母部分就是10+(1+β)*1.再问：为么模拟电子技术这本书上没有这个公式呢，还有a图是共射电路吗，不太看懂啊

二极管的输入特性曲线,即基极电流Ib和基极发射极之间电压Vbe的关系,当晶体管特性相同时,Vbe相同时,Ib相同,Ib相同,又有Hfe相同,所以Ic相同.静态分析时,本书的要点是经验发射极电流1毫安,

1）y=50x+(80-x)*45y=5x+36001.1*x+0.6*(80-x)≤700.4*x+0.9*(80-x)≤52故40≤x≤44（2）y=5x+3600图象成直线,是增函数,所以,当x