有一种称做PTC的半导体材料该材料的电阻Rx随着温度T变化曲线

（1）由题意可知，在图象中PTC的人为设定温度为100℃，其电阻为34Ω；（2）当在设定温度状态工作时，连入电路的电阻RT=34Ω，R0、RT串联，由P=U2R得，电路总电阻：R总=U2P=(220V

半导体材料是Si：SiO2+2C==高温==Si+2CO再答：望采纳啊～谢谢～

1）当在设定温度状态工作时,连入电路的电阻RT＝34Ω,R0、RT串联.由P＝得电路总电阻＝44Ω.R0的阻值：R0=R总-RT=44Ω-34Ω=10Ω（2）当RT的温度为130℃时,由图像可知,此时

（1）R总＝220*220/1100＝44（欧）；R0＝44-20＝24（欧）；（2）P总（130度时）＝220*220/（100+24）＝390（W）.I＝220/124＝1.774（A）；P（RT

A、D正确.　　PTC刚通电时温度较低,电阻小,所以功率较大.随着温度的上升,电阻值增大,功率减小.所以A.对,B.错.　　t1、t2是临界点,也即不稳定点,温度不可能保持在这两点上.只有当处于t1-

（1）、查表甲得R热=100Ω（2）因U0=3V又因串联电路R热/R0=U热/UO则：R热=R0,U热=UO得到U电源=6V（3）、O℃时查表甲得R热=500ΩUO′=6V/（500Ω+100Ω）x1

木有图啊,请上图再问： 我这题R最大为400，最小也是100，这图不是原题的再答：（1）电源电压为多大?由图乙，热敏电阻与定值电阻串联，电压表所测为定值电阻两端电压，当温度为100℃时，热敏

你插入的3张图片重复了再问：我是故意的，一张图的话你看得清吗？再答：了解，经你这么一说，确实感觉看得比以前好象更清楚一点儿了呦。

可行的办法有降低电压或者曾加滑动变阻器的最大阻值所以a和c正确再问：只能从1V左右向上调，1V以下怎么也调不到，这是什么原因呢？再答：用串联电阻分压来解释R1比R2=U1比U2串联电阻U1+U2等于总

除了B其他都有,只要具有集成电路的都有

（1）I=U/R0=3V/100欧=0.03A由左图可知,当t=100℃时,R=100欧　　∴R总=R0+R=100欧+100欧=200欧.　　U总=IR总=0.03A*200欧=6V　　（2）I‘=

当水温达到100℃时,热敏电阻阻值为100欧,电压表的示数达到最大值为3V因为热敏电阻与R0串联,电路中电流I=U1/R1=3V/100欧=0.03A电源电压U=I(R1+R0)=0.03A*(100

半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类.锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、

常见的半导体材料,有硅和锗.现在集成电路绝大多数是用硅制作的.可分为数字集成电路、接口集成电路和模拟集成电路.基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟,广泛地应用于光通信、移动通讯、

现在市面上很多足浴盆是利用石英管、玻璃管、热熔片等进行加热,这些方法加热时容易产生爆破、漏电等安全隐患,这种机电一体式的电器,很容易发生事故的.这种加热原理,就是像你平常用热得快烧水一样的.楼主要知道

半导体导带和价带之间存在能隙（energygap）,当入射光的能量等于能隙时,入射光将会被材料大量吸收,因此会在能隙位置出现吸收峰,这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置.

半导体材料主要做半导体器件,构成电路,有的还可以做成发光的LED轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一样,所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现

常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge）,化合物半导体,如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等.其中硅是最常用的一种半导体材料.有以下共

这么猛?

PTCmaterialsisakindoftemperaturesensitiveferroelectricsemiconductormaterial,isoneofthenewelectronicm