提供基极电流三极管能否饱和导通

进入微观世界里面看,你会知道,PN结正偏的时候,电流很大,我们说正向导通.当PN结反偏时,电流很小,因为PN结的光热作用,会有“少子”通过.再看看三极管的结偏压,正常工作的情况下,集电结处于反偏,发射

基极电阻为10K~15K,或只要基极电压≥1V则三极管就饱和导通.

呵呵,比较难懂.看上去很抽象.但如果你明白了各个量之间的关系,又觉得原来如此简单的问题!因为发射极电流是基极电流的（1+β）倍,发射极电压=发射极电阻*发射极电流.发射极电压也就是发射极电阻上的电压.

看书

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→R1→b→e→地；IC：VCC→R2→c→e→地；IE=IB+

0.7是管压降放大区和截至区的电压值不同你应该先看一下三极管的参数曲线

追问：不能一个PN节相当于一个二极管（举例:肖特基的0.3v左右其他的0.7-1.3那样）没有电势差PN结不能正偏!基极电流输入的大小能控制集电极输入的电流大小放大倍数90-120倍那样.饱和理当基极

1、取基极串入电阻（欧姆）=HEF*【输入信号电压（V）-0.7（V)】/0.3(A）即可,选单个三极管只要输出能力满足要求就可以实现.2、耗散功率计算正确,但需要考虑截止到饱和过渡期间功耗较大的问题

当是PNP型三极管时,发射极发射的载流子是空穴,发射到基区后,会与那里的多数载流子电子复合,由于外加电场的作用先前复合了的电子就会“脱离”空穴,而空穴又会被新的电子重新复合,这个过程不断地循环于是就行

所谓饱和,就是Ic不受Ib的影响,且Uce电压接近0Ic最大为多少?Vcc/RcIc等于什么?βIbIb怎么求你会吧?其实饱和就是让βIb>Ic的最大值即可只要知道一个管子的直流增益以及集电极电阻就可

这个问题与具体的三极管型号和电源电压有关.假定采用9013三极管,其Vbe饱和电压为1.2V,又假定你采用5V直流供电,集电极-基极间的偏置电阻假定采用1K,则计算如下:R(饱和导通时的基极偏置电阻)

三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大.

基极电压Vbe=0.7VIb=(15-0.7)/100k=43μA设三极管放大倍数为β,则Ic=43μA*βVce=15V-5k*43μ*βV=(15-0.215*β)V1.如果Vce>Vcb,则三极

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和；上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止；固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和;上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止;固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

是基极和发射极正偏,不过也不用0.7V,硅管0.5几,锗管大概0.2多久导通了,前提是集电极和发射极也是正偏.基极电流是流向发射极或者从发射极流出.

不会.再问：是无论绕多少匝线自感产生的电流电压都不会比原来的大吗?自感电压和电流怎么计算的再答：L1，L2反相。能量守恒。自感电压和电流的计算参其他变压器。公式同。

不管NPN或PNP其主要都是PN晶体接面的关系形成空乏区,这个基极就是掌控这两边空乏区开关当BE顺向导通,带动集极空乏区也流通,BE导通电流越大,空乏区越小,CE也因为B极电子活跃而相形导通作用文字这

无电源电压和集电极负载电阻,如果是12V1K12／1k＝12mA,Ib=12mA/200=0.06mA,基极电流大于60微安可以饱和.数字表二极管档测量的就是pn结的正向压降（mV）,电阻档仍然是正向

RB的作用是给基极提供静态工作点的电流Ib ,目的是让交流信号承载在这个Ib上跨过死区电压的.工作在放大状态的三极管的Ube应该、的确比死区电压（0.7V）大一点.因为静态计算没有输入信号,