截止状态下npn电位关系

N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的.具体可查你选用元件手册.

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

有两个NPN三极管,甲管各极电位分别为VC=6V,VB=2.7V,VE=2V,则处于放大状态；乙管各极电位分别为VC=6V,VB=2V,VE=2V,则乙管处于截止状态.

由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的

pnp型三极管,C极为负电压,E极为最高电位,在共射状态下,E极接“正地”,则Uc＜Ub＜Ue.不论管子在何种电压下工作,放大三极管的Ub与Ue之差很小,锗管为－0.2V,硅管为－0.6V.“b点电位

截止放大

看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

看你npn的发射极和pnp的集电极接了什么嘛他们接了什么就是什么相当于把三极管拿掉不要去管什么高阻态再问：。。。。。，我需要高阻态，在截止状态下是否为高阻态喔~？再答：不是高阻态“高阻态输入下一级电路

E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管.再问：意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？再答：硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断P

100%是NPN,3V脚是发射极,3.4V脚是基极,9V脚是集电极.两个脚的电压差

NPN:c,b,e截止：VbVe,VcVB>Ve电流方向：b->e,c->ePNP管反过来即可.

你的意思就是要在电源的负端加一个（电子）开关,然后用高低电平来控制这个开关吧?!用一个三极晶体管也可以来完成,但最好说清楚你的负载（即接在开关后面的是什么?）,有时简单的电路未必能适用你的要求.

1、电位也叫做电势.是描述电场中的那一点的相对位置和高低.用物理语言说是电荷在单位电场中某一点的电势能.φA=EpA/q2、有电位,就有电位差,AB两点的电位差的定义是UAB=φA-φB且有UAB=-

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

三极管NPN发射结正偏集电结反偏时,集电极是不是高电位?回答肯定是高电位1发射结反偏,集电结反偏：管子处于截止状态,集电极电位等于电源电压；2发射结正偏,集电结反偏：当Vbe0.5v,管子开始导通,进

是由于膜两侧钠钾离子分布不均匀所致.再问：钾离子膜内浓度是膜外的60倍，而膜外钠离子仅为膜内的30倍，要是分布不均匀也应是膜内正电膜外负电再答：两种离子的相对含量不同，总体膜外正电位，膜内负电位。