.若一点电荷q位于一立方体中心,立方体边长为a ,则通过立方体一面的电通量为 .

B.高斯定理的理解就是：高斯面上电场强度的积分等于高斯面内电荷的电量除以介电常数这里可以理解介电常数不变,那么有高斯面上电场强度积分正比于高斯面内电荷的电量要使电通量改变,则必须改变高斯面内的电荷

E=4/3*Q经过问数学老师,可以知道Q距端点距离为二分之根号三a经过问物理老师,可以知道E=Q/R^2经过问计算器,可以知道E=4/3*Q

A、由图看出，电子的轨迹向下弯曲，其所受的电场力方向向上，故建立电场的点电荷Q带正电，A错误；B、电场线的疏密表示电场强度的大小，M点电场线稀疏，所以离子在M点的电场力小，加速度也小，B错误；C、粒子

1的答案是0,2和3的答案是4k派Q.高斯面的电通量仅与内部电量有关.

电势最低点位置的电场线应该过圆心否则置于改点的电荷将移动这与该点为电势最低点相悖利用这点轻松求得夹角

一个边长为4×10^(-10)m的立方体(晶胞)中正好含有一个CsCl分子,所以1mol这种立方体的体积就是168gCsCl的体积V=（4×10^(-10)）^3×6.02×10^23=3.85×10

很简单的,其实用一个边长为a的正方体就可以把这个电荷包起来了啊,然后电荷就正好在中心点,对六个面是对称的,正方体为六面体,所以就是1/6个磁通量了,公式看看书吧,这就懒得打出来了,解题思路是这样的

Kq/r^2就相当于所有电荷在中心点,这道题目当年做也没想到,后来老师讲可以把球看成质点,恍然大悟.

这个是根据电势叠加原理来求得点电荷在球心产生的电势为：kq/(2r)；由于球体原来不带电,所以导体球放在一点电荷场中达到静电平衡,感应电荷之分布在电荷表面,根据电荷守恒知道正、负电荷电量为零.所以感应

电场力做功为0.因为点电荷的电场分布规律E=q/(4πεr^2),电势是U=q/(4πεr),以无穷远为0电势.且与圆环无关,只是环上电场为0,电势相等.在同一个球面上,电势U相等.从a移动到b,电势

将平面补成一个边长为a的立方体,q包含在立方体内由高斯定理：Ψ=∫∫EdS=q/ε0(立方体通量)通过一个平面：Ψ1=q/(6*ε0)

1.Q=-q(用库仑定律)2.E=(k*q*sinθ/2)/(a^2*θ)(用微积分）

原子结构,原子由（原子核）和（核外电子）组成原子核位于原子的中心,带（正）电；电子绕核运动,带（负）电?

可作一半径与立方体边长相同的球,总电通量为q/ε0,其中立方体内的部分占1/8,这些电通量将从与A不相邻的三个面上穿出（相邻的三个面无电通量）,由对称性,每个面各分担1/3,所以应为q/24ε0

电荷q会排斥正电荷,吸引负电荷,所以整个导体球正电荷分布是远离q的多,靠近q的少,带点中心远离q,所以此时q感受到的电场相比于没有q时是偏小的.大球带负电荷的话,靠近q的负电多,远离的少,所以带点中心

由高斯定理,通过六个面的电场强度通量为4πkQ,因此通过其中一个面的通量是4πkQ/6=2πkQ/3立方体的角上一点与中心的距离为r=sqrt(a^2+(sqrt(2)a)^2)/2=sqrt(3)a

你说的符号混乱且有冲突,所以自己都看不懂了.正圆环（完整圆）的总电荷是Q,那么在圆环上,单位长度的电荷就是Q2＝Q/(2πr)　,圆心处是另一个点电荷q.（看明白了吗?不要把圆环上的电荷弄成q）　　如

圆环（完整圆）的总电荷是Q,那么在圆环上,单位长度的电荷就是Q2＝Q/(2πr)　,圆心处是另一个点电荷q.从题目意思看,L是很短的,所以缺口处的电荷可看成点电荷.缺口处原来的电荷就是　Q1＝Q2*L

不为零.不在球中心时,也不为零.只是这时导体球壳上的电场强度不是均匀的.因为导体球壳内放一正点电荷,导体球壳上的电子受球壳内正点电荷电场的作用,会向正点电荷所在方向运动,使球壳上也产生电场.正点电荷不

球壳是等势体,不分内外,平衡后内表面为-q,外表面为2q,内表面的电势和中心电荷的电势抵消,总电势为2q/(4*PI*episilon*R2)